BSS138

Shikues
BSS138 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature 50V/0.2A,RDS(ON)=3.5Ω(MAX）@VGS=5V.Id=0.2A. RDS(ON)=10Ω（MAX）@VGS=2.75V.ld=0.2A.  Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).  Reliable and Rugged.  Low Threshold Voltage (0.5V—1.5 V)Make it Ideal for Low Voltage Applications.  ESD protected.  SOT-23 for Surface Mount Package. Marking:ss  SOT23 Applications Power Management ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= BSS138 (ANBON)
 

BSS138 (DIODES) 		SOT-23-3
 
 — — — — —
P= WM06N03M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P= BSS138 SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 100 шт
 
 — — —
P= LBSS139LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
 ± — — Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET — —
P- WM05N02M (WAYON)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
BSS138 N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature 50V/0.2A,RDS(ON)=3.5Ω(MAX）@VGS=5V.Id=0.2A. RDS(ON)=10Ω（MAX）@VGS=2.75V.ld=0.2A.  Super High dense cell design for extremely low RDS(ON).  Reliable and Rugged.  Low Threshold Voltage (0.5V—1.5 V)Make it Ideal for Low Voltage Applications.  ESD protected.  SOT-23 for Surface Mount Package. Marking:ss  SOT23 Applications Power Management in DC/DC Converters、 Portable and Battery-powered Products. Absolute Maximum Ratings Parameter TA=25℃ Unless Otherwise noted Symbol Limit Units Drain-Source Voltage VDS 50 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V ID 0.2 A Drain Current-Continuous Electrical Characteristics Parameter TA=25℃ Unless Otherwise noted Symbol Test Conditions Min Typ Max Units Drain-source Voltage BVDSS VGS=0V, ID=250µA 50 - - V Zero-Gate Voltage Drain Current IGSS VDS=50V, VGS=0V - - 0.5 µA VDS=25V, VGS=0V - - 0.1 Gate Body Leakage Current, Forward IGSSF VGS=20V, VDS=0V - - 300 nA Gate Body Leakage Current, Reverse IGSSR VGS=- 20V, VDS=0V - - -300 nA Gate Threshold Voltage VGS(TH) VGS= VDS, ID=1.0 mA 0.5 - 1.5 V Static Drain-Source On-Resistance RDS(ON) VGS =5.0V,ID =0.2A - - 3.5 Ω VGS =2 75V, ID =0 .2A - - 10 Ω 2.5 v Off Characteristics On Characteristics Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings Diode Forward Voltage REV.08 VSD VGS =2 75V, ID =0 .2A 1 of 3 PDF
Документация на BSS138 

Дата модификации: 18.10.2023

Размер: 1.35 Мб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WMJ25N80M3 (WAYON)