WM06N03M

WM06N03M N-Channel Enhancement MOSFET Features     Way-on Small Signal MOSFETs VDS= 60V, ID = 0.34A RDS(on) < 2.1Ω @ VGS = 10V RDS(on) < 2.8Ω @ VGS = 4.5V Trench LV MOSFET Technology ESD Protected Mechanical Characteristics  SOT-23 Package  Marking : Making Code  RoHS Compliant Schematic & PIN Configuration Absolute Maximum Rating (TA=25°C unless otherwise noted) Par...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 38

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= 2N7002W (YJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR)
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
P= BSS138 (YJ)
 

BSS138 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= LBSS139LT1G (LRC)
 
SOT-23-3
 
± Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
P= BSS138 (ANBON)
 

BSS138 (DIODES)
SOT-23-3
 
P= 2N7002W (JSCJ)
 

2N7002W (ONS-FAIR)
SOT-323-3
 
±
P= 2N7002KC (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= CS3N06AS-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
P= WM05N02M (WAYON)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BSS138 (SHIKUES)
 

BSS138 (DIODES)
SOT-23-3 15 шт
 
±
P= 2N7002K SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
±
P= 2N7002K (JSCJ)
 

2N7002K (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BSS138 SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 100 шт
 
P= 2N7002K (NCE)
 

2N7002K (ONS-FAIR)
SOT-23-3
 
±
P= 2N7002K (SHIKUES)
 

2N7002K (ONS-FAIR)
SOT-23-3
 
±
P= LBSS138LT1G (LRC)
 
1 шт
 
± Small Signal Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 50V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236AB
P- BSS138 (JSCJ)
 

BSS138 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 15000 шт
 
P- BSS138 (YOUTAI)
 

BSS138 (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ AD-2N7002K (JSCJ)
 
SOT-23-3 ±
A+ 2N7002C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ 2N7002 (YJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ L2N7002KX4T5G (LRC)
 
DFN10104
 
±
A+ L2N7002KWT1G (LRC)
 
SOT-323-3 SC70 ±
A+ L2N7002KTT1G (LRC)
 
SC89
 
±
A+ L2N7002KN3T5G (LRC)
 
SOT883
 
±
A+ L2N7002KLT1G (LRC)
 
SOT233
 
± Small Signal Field-Effect Transistor, 0.32A I(D), 60V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-236
A+ AD-2N7002KW (JSCJ)
 
SOT-323-3
 
±
A+ L2N7002SDW1T1G (LRC)
 
SC88
 
±
A+ 2N7002KW SOT-323 (JSCJ)
 
SOT-323-3
A+ 2N7002KW (JSCJ)
 

2N7002KW (ONS-FAIR)
SOT-323-3 1330 шт
A+ WM06N03L (WAYON)
 
SOT-523
 
A+ WM06N03G (WAYON)
 
SOT-323-3 3000 шт
A+ 2N7002A (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
A+ 2N7002K 72K (JSCJ)
 
в ленте 300 шт
 
A+ 2N7000 (DC)
 

2N7000 (ONS-FAIR)
TO-92-3 1000 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3]
A+ BSS138KWJ (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
A+ BSS138KJ (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
A+ CJBA7002K (JSCJ)
 
DFN10063 в ленте 300 шт
 
±
A+ L2N7002SLT1G (LRC)
 
в ленте 3000 шт
 
± Small Signal Field-Effect Transistor, 0.115A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.