MMBT8050

Shikues
MMBT8050 TRANSISTOR (NPN) FEATURES SOT-23 • Complimentary to MMBT8550 • Collector Current: IC=0.8A 1．BASE 2．EMITTER 3．COLLECTOR MARKING:D9D MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.8 A PC Collector ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ FMMT619 (JSCJ)
 

FMMT619 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ PBSS304NZ (YJ)
 
— в ленте 5 шт — — — — —
A+ PMMT491A (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ SS8050-H (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1691L TO-220 (UTC)
 
TO220B в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ 2SC3650 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ BCW66H (JSCJ)
 
— в ленте 1200 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1898 180-390 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ 2SD2153 (JSCJ)
 
—
 
 — — — —
A+ PXT8050 200-350 (JSCJ)
 
SOT-89-3L
 
 — — — —
A+ BC337-25 (KLS)
 

BC337-25 (ONS-FAIR) 		— 1000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
MMBT8050 TRANSISTOR (NPN) FEATURES SOT-23 • Complimentary to MMBT8550 • Collector Current: IC=0.8A 1．BASE 2．EMITTER 3．COLLECTOR MARKING:D9D MAXIMUM RATINGS (TA=25℃ unless otherwise noted) Symbol Parameter Value Units VCBO Collector-Base Voltage 40 V VCEO Collector-Emitter Voltage 25 V VEBO Emitter-Base Voltage 5 V IC Collector Current -Continuous 0.8 A PC Collector Dissipation 0.3 W Tj Junction Temperature 150 ℃ Tstg Storage Temperature -55-150 ℃ ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Tamb=25℃ unless otherwise specified) Parameter Symbol Test conditions Collector-base breakdown voltage V(BR)CBO IC= 100µA, Collector-emitter breakdown voltage V(BR)CEO IC=1mA, Emitter-base breakdown voltage V(BR)EBO IE=100µA, IE=0 IB=0 IC=0 MIN TYP MAX UNIT 40 V 25 V 5 V Collector cut-off current ICBO VCB=40 V, IE=0 0.1 µA Collector cut-off current ICEO VCB=20V, IE=0 0.1 µA Emitter cut-off current IEBO VEB= 5V, IC=0 0.1 µA HFE(1) VCE=1V, IC= 50mA 200 HFE(2) VCE=1V, IC= 500mA 50 350 DC current gain Collector-emitter saturation voltage VCE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA 0.6 V Base-emitter saturation voltage VBE(sat) IC=500 mA, IB= 50mA 1.2 V VCE=6V, Transition frequency REV.08 fT f=30MHz 1 of 3 IC= 20mA 150 MHz PDF
Документация на MMBT8050 

Subject:

Дата модификации: 30.05.2011

Размер: 696.6 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N3904 (DC)