SK303N

Shikues
SK303N N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature @VGS = 4.5V. • 25V/0.71A, RDS(ON) = 400mΩ(MAX) RDS(ON) = 450mΩ(MAX) @VGS = 2.7V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON) . (SOT-23) • • ESD Protection HBM >1KV • SOT-23 for Surface Mount Package. Top View Applications • Power Management • Portable Equipment and Battery Powered Systems. Absolute Maximum Ratings TA=25℃ Un...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJL3099AJ (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ IRLML2803 (KLS)
 

IRLML2803TRPBF (HOTTECH) 		— в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ LN239N3T5G (LRC)
 
SOT883
 
 ± — — — — —
A+ LN235N3T5G (LRC)
 
SOT883
 
 ± — — — — — —
A+ LNTS4409NWT1G (LRC)
 
SOT-323-3 SC70 ± — — — — —
A+ SDV301N3 (SHIKUES)
 
SOT883
 
 ± — — — — —
A+ SK301N (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
SK303N N-Channel Enhancement Mode MOSFET Feature @VGS = 4.5V. • 25V/0.71A, RDS(ON) = 400mΩ(MAX) RDS(ON) = 450mΩ(MAX) @VGS = 2.7V. Super High dense cell design for extremely low RDS(ON) . (SOT-23) • • ESD Protection HBM >1KV • SOT-23 for Surface Mount Package. Top View Applications • Power Management • Portable Equipment and Battery Powered Systems. Absolute Maximum Ratings TA=25℃ Unless Otherwise noted Parameter Symbol Limit Units Drain-Source Voltage VDS 25 V Gate-Source Voltage VGS ±8 V ID 0.71 A Drain Current-Continuous Electrical Characteristics Parameter TA=25℃ Unless Otherwise noted Symbol Test Conditions Min Typ. Max Units BVDSS VGS=0V, ID=250µA 25 - - V Zero-Gate Voltage Drain Current IDSS VDS=25V, VGS=0V - - 1 µA Gate Body Leakage Current, Forward IGSSF VGS=8V, VDS=0V - - 10 nA Gate Body Leakage Current, Reverse IGSSR VGS=-8V, VDS=0V - - -10 nA VGS(th) VGS= VDS, ID=250µA 0.5 - 1.0 V VGS =4.5V, ID =2A - 300 400 mΩ VGS =2.5V, ID =1.5A - 340 450 mΩ 0.8 1.2 1.2 V Off Characteristics Drain to Source Breakdown Voltage On Characteristics Gate Threshold Voltage Static Drain-source On-Resistance RDS(ON) Drain-Source Diode Characteristics and Maximum Ratings Drain-Source Diode Forward Voltage REV.08 VSD VGS =0V, IS=0.94A 1 of 4 PDF
Документация на SK303N 

NK2302AA Keywords:

Дата модификации: 19.05.2022

Размер: 841.7 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)