YJL3099AJ

RoHS YJL3099AJ COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) 30V 1.1A <450mΩ <550mΩ <850mΩ General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● Excellent package for heat dissipation ● High density cell design for low RDS(ON) ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= DMN3052L (SHIKUES)
 
SOT-23-3
 
±
P= CJ2306 (JSCJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P= CRTJ250N03L2-G (CRMICRO)
 
SOT-23-3
 
P= WM03N32M (WAYON)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
P= CJ2304 (JSCJ)
 
SOT-23-3 1500 шт
 
P= YJL3400C (YJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= WM03N58M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= CJ3400 (JSCJ)
 
SOT-23-3 30 шт
 
P= UT3404G-AE3-R (UTC)
 
SOT-23-3
 
A+ IRLML2803 (KLS)
 

IRLML2803TRPBF (HOTTECH)
в ленте 3000 шт
 
A+ LN239N3T5G (LRC)
 
SOT883
 
±
A+ LN237N3T5G (LRC)
 
SOT883
 
±
A+ LN1482WT1G (LRC)
 
SOT-323-3 SC70 ±
A+ NTR4503NT1G (YOUTAI)
 
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.