1N4148

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 100 В, ток до 150 мА, с падением напряжения 1 В, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO35
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM)
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= 1N4148W (JSCJ)
 

1N4148W (DIODES) 		SOD123 в ленте 3000 шт — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon
P= L1N4148WT1G (LRC)
 
SOD123 в ленте 3000 шт — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 75V V(RRM), Silicon
P- 1N4148 (YJ)
 

1N4148 (DIODES) 		DO35 3000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.15A, 100V V(RRM), Silicon, DO-35
F~ 1N4148 R0G (TSC)
 
DO35 10000 шт — —
F~ 1N4148 T/B (DC)
 
DO35 в ленте 5000 шт — — — — — —
A- 1N4448 (DC)
 

1N4448 (ONS-FAIR) 		DO35 в ленте 5000 шт —
A- BAV19 T/B (DC)
 
DO35 в коробках 5000 шт
 
 —
A- 1N4148 A0G (TSC)
 
DO35 5000 шт — —
A- 1N4148 (HOTTECH)
 

1N4148 (DIODES) 		— в ленте 5000 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
1N4448/1N4148/1N914B Pb 500 mW Hermetically Sealed Glas Fast Switching Diodes RoHS COMPLIANCE DO-35 Features — — — — — — — — — Fast switching device (TRR<4.0nS) DO-35 package (JEDEC) Through-hole device type mounting Hermetically sealed glass Compression bonded construction All external surface are corrosion resistant and leads are readily solderable RoHS compliant Solder hot dip Tin(Sn) lead finish Cathode indicated by polarity band Dimensions in inches and(millimeters) Maximum Ratings and Electrical Characteristics Rating at 25oC ambient temperature unless otherwise specified. Maximum Ratings Type Number Power Dissipation Working Inverse Voltage Non-repetitive Peak Forward Current Average Rectified Current Symbol Pd WIV IFM Io Peak Forward Surge Current IFSURGE Operating Junction Temperature TJ TSTG Storage Temperature Range Value 500 75 450 150 2 175 -65 to + 200 Units mW V mA mA A O C O C Electrical Characteristics Type Number Breakdown Voltage Forward Voltage 1N4448, 1N914B 1N4148 1N4448, 1N914B Reverse Leakage Current Junction Capacitance Symbol Min IR=100uA IR=5uA BV 100 75 IF=5.0mA IF= 10mA IF =100mA VR=20V VR=75V VF 0.62 VR=0, f=1.0MHz - IR Max Units V 0.72 1.0 1.0 V 25 5 nA uA pF nS － 4.0 Cj － Reverse Recovery Time (Note 1) 4.0 trr Notes: 1. Reverse Recovery Test Conditions: IF=10mA, VR=6V, RL=100Ω, IRR=1mA Version: B07 PDF
Документация на 1N4148 

Microsoft Word - 1N4448, 1N4148, 1N914B.doc

Дата модификации: 13.09.2007

Размер: 63.3 Кб

2 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    01 декабря
    новость

    Дискретные полупроводниковые решения от азиатских производителей для любых задач

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Дискретные компоненты – основа любой схемотехники. От правильно подобранных диодов, транзисторов и стабилитронов может зависеть надежность и эффективность всей системы. Сегодня рынок предлагает большой выбор дискретов,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)