DBLS106G

Taiwan Semiconductor
DBLS101G – DBLS107G Taiwan Semiconductor 1A, 50V - 1000V Standard Bridge Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS AEC-Q101 qualified available Ideal for printed circuit board Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique High surge current capability UL Recognized File # E-326854 Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free accor...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DBLS
Максимальное обратное напряжение диода
Прямое падение напряжения
Прямой ток диода (средн)
Рабочая температура
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Uобр Uпрям Iпрям Примечание T раб Карточка
товара
P- DBL106S (YJ)
 
DBLS 50 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1A, 800V V(RRM), Silicon
P- DB156S (YJ)
 
DBS14 в ленте 1500 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 1.5A, 800V V(RRM)
P- DB106S (YJ)
 
— 50 шт
 
 Bridge Rectifier Diode, 1A, 800V V(RRM), Silicon
P- DB106S (LRC)
 
—
 
 —

Файлы 1

показать свернуть
DBLS101G – DBLS107G Taiwan Semiconductor 1A, 50V - 1000V Standard Bridge Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS AEC-Q101 qualified available Ideal for printed circuit board Reliable low cost construction utilizing molded plastic technique High surge current capability UL Recognized File # E-326854 Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF 1 A VRRM 50 - 1000 V IFSM 30, 40 A TJ MAX 150 °C Package DBLS Configuration Quad APPLICATIONS ● Switching mode power supply (SMPS) ● Adapters ● Lighting application MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● Case: DBLS Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.360g (approximately) DBLS ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL Marking code on the device Repetitive peak reverse voltage VRRM Reverse voltage, total rms value VR(RMS) Forward current Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load Rating for fusing (t<8.3ms) DBLS DBLS DBLS DBLS 101G 102G 103G 104G DBLS DBLS DBLS DBLS 101G 102G 103G 104G 50 100 200 400 35 70 140 IF DBLS DBLS DBLS UNIT 105G 106G 107G DBLS DBLS DBLS 105G 106G 107G 600 800 1000 V 280 420 560 700 1 V A IFSM 40 30 A 2 6.6 3.7 As It 2 Junction temperature TJ - 55 to +150 °C Storage temperature TSTG - 55 to +150 °C 1 Version: P2103 PDF
Документация на DBLS101G 

Дата модификации: 30.03.2021

Размер: 432.7 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    SEMIX341D16S (SMK)