Вход / Регистрация

ES1DALM3G

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 950 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-220AA (SMP)
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- HS1DAL (TSC)
 
— 14000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
A- ES1DAL (TSC)
 
— 14000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
A- EFMBF204 (LRC)
 
—
 
 — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
ES1BAL - ES1JAL Taiwan Semiconductor 1A, 100V-600V Surface Mount Super Fast Rectifiers FEATURES ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS Glass passivated junction chip Ideal for automated placement Low power loss, high efficiency Low profile package RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 APPLICATIONS ● Freewheeling application ● Switching mode converters and inverters, computer and telecommunication. PARAMETER VALUE UNIT IF(AV) 1 A VRRM 100-600 V IFSM 30 A TJ MAX 150 °C Package Thin SMA Configuration Single Die MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● ● Case: Thin SMA Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020 Terminal: Pure tin plated leads, solderable per J-STD-002 Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 0.029 g (approximately) Thin SMA ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) PARAMETER SYMBOL ES1BAL ES1DAL ES1GAL ES1JAL UNIT ES1BAL ES1DAL ES1GAL ES1JAL Marking code on the device Repetitive peak reverse voltage VRRM 100 200 400 600 V Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 70 140 280 420 V Forward current Surge peak forward 8.3ms at TA = 25°C current single half sinewave superimposed on 1.0ms at TA = 25°C rated load per diode Junction temperature IF(AV) 1 A 30 A 60 A TJ -55 to +150 °C Storage temperature TSTG -55 to +150 °C IFSM 1 Version:B2004 PDF
Документация на ES1BALM3G 

Subject:

Дата модификации: 15.04.2020

Размер: 365.9 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    26 июня 2024
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для солнечной энергетики

    Электроэнергия, вырабатываемая солнечной батареей, может быть преобразована в удобную для потребителя форму разными способами, имеющими свои особенности. Одним из них является применение микроинверторов – преобразователей постоянного тока в... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CD1408-R1800 (BOURNS)