Вход / Регистрация

MBR20H200CT

Taiwan Semiconductor
Диод выпрямительный 2, общий катод на напряжение до 200 В, ток до 10 А, с падением напряжения 880 мВ, производства Taiwan Semiconductor (TSC)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Рабочая температура
Монтаж
  Примечание: Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= MBR20200CG (ANBON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — —
P= MBR20200CT (TSC)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
P= MBR10200 (ANBON)
 
TO220AC
 
 — — — — — — — — — — —
P= MBR20200CT (SHIKUES)
 
TO-220-3
 
 — — — — — — —
P= SBD20200CT (JSCJ)
 
TO2203L
 
 — — —
P- MBR20200CT (YJ)
 
TO220AB в линейках 1000 шт
 
 — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
P- MBR20200CT-YC0G (TSC)
 
—
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB
P- MBR20200CTC0 (TSC)
 
—
 
 — — — — Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 10A, 200V V(RRM), Silicon, TO-220AB

Файлы 1

показать свернуть
MBR20H100CT – MBR20H200CT Taiwan Semiconductor 20A, 100V - 200V Schottky Barrier Rectifier FEATURES ● ● ● ● ● ● KEY PARAMETERS AEC-Q101 qualified available Low power loss, high efficiency Guard ring for overvoltage protection High surge current capability RoHS Compliant Halogen-free according to IEC 61249-2-21 PARAMETER VALUE UNIT IF 20 A VRRM 100 - 200 V IFSM 150 A TJ MAX 175 °C APPLICATIONS ● Switching mode power supply (SMPS) ● Adapters ● DC to DC converters Package TO-220AB Configuration Dual dies MECHANICAL DATA ● ● ● ● ● ● ● Case: TO-220AB Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating Terminal: Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002 Mounting torque: 0.56 N⋅m maximum Meet JESD 201 class 2 whisker test Polarity: As marked Weight: 1.80g (approximately) TO-220AB ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C unless otherwise noted) Repetitive peak reverse voltage VRRM MBR 20H100CT MBR 20H100CT 100 Reverse voltage, total rms value VR(RMS) 70 PARAMETER SYMBOL Marking code on the device Forward current Surge peak forward current, 8.3ms single half sine wave superimposed on rated load (1) Peak repetitive reverse surge current Peak repetitive forward current (Rated VR, Square wave, 20KHz) Critical rate of rise of off-state voltage MBR 20H150CT MBR 20H150CT 150 105 MBR UNIT 20H200CT MBR 20H200CT 200 V 140 V IF 20 A IFSM 150 A IRRM 1.0 0.5 A IFRM 20 A dv/dt 10,000 V/μs Junction temperature TJ -55 to +175 °C Storage temperature TSTG -55 to +175 °C Notes: 1. tp = 2.0μs, 1.0KHz 1 Version: I2104 PDF
Документация на MBR20H100CT 

Дата модификации: 04.05.2021

Размер: 533.5 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1N4007 (YJ)