Вход / Регистрация

IRF7853TRPBF-VB

VBSemi
IRF7853TRPBF www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 100 RDS(on) (Ω) a ID (A) 0.020 at VGS = 10 V 10.4 0.027 at VGS = 8 V 9.5 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Extremely Low Qgd for Switching Losses • 100 % Rg Tested • 100 % Avalanche Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Qg (Typ.) 23 nC D APPLICATIONS SO-8 • ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: —

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P- CJQ07N10 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт
 
P- WMS175N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
P- NCE0110AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8
P- CRSE120N10L2 (CRMICRO)
 
SOP-8
 
P- YJS11G10A (YJ)
 
SOP-8 в ленте 8000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
IRF7853TRPBF www.VBsemi.com N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) 100 RDS(on) (Ω) a ID (A) 0.020 at VGS = 10 V 10.4 0.027 at VGS = 8 V 9.5 • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Extremely Low Qgd for Switching Losses • 100 % Rg Tested • 100 % Avalanche Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC Qg (Typ.) 23 nC D APPLICATIONS SO-8 • Primary Side Switch S 1 8 D S 2 7 D S 3 6 D G 4 5 D G S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C, unless otherwise noted) Parameter Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Symbol VDS VGS Continuous Drain Current (TJ = 150 °C) TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C Limit 100 ± 20 10.4 9.1 8.5b, c 7.5b, c ID IDM Pulsed Drain Current TC = 25 °C TA = 25 °C IS Single Pulse Avalanche Current Single Pulse Avalanche Energy L = 0.1 mH IAS EAS Maximum Power Dissipation TC = 25 °C TC = 70 °C TA = 25 °C TA = 70 °C PD Continuous Source-Drain Diode Current Operating Junction and Storage Temperature Range Unit V A 50 4.5 2.6b, c 20 20 5.9 3.8 3.1b, c 2b, c - 55 to 150 TJ, Tstg mJ W °C THERMAL RESISTANCE RATINGS Parameter Maximum Junction-to-Ambientb, f t ≤ 10 s Maximum Junction-to-Foot (Drain) Steady State Symbol RthJA RthJF Typical 33 17 Maximum 40 21 Unit °C/W Notes: a. Based on TC = 25 °C. b. Surface mounted on 1” x 1” FR4 board. c. t = 10 s. d. Maximum under steady state conditions is 80 °C/W. RR T 1 PDF
Документация на IRF7853TRPBF-VB 

Дата модификации: 08.02.2023

Размер: 211.2 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.