CJQ07N10

JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD SOP8 Plastic-Encapsulate MOSFETS CJQ07N10 N-Channel Power MOSFET ID RDS(on)TYP V(BR)DSS 25mΩ@10V 100V SOP8 7A 28mΩ@4.5V DESCRIPTION The device is the highest performance trench N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide excellent RDSON and gate charge for most of the synchronous buck converter applications . 100% EAS ...
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS175N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ WMS119N10LG2 (WAYON)
 
SOP8L
 
A+ LNB8620DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
A+ LNB8617DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8616DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8612DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
A+ LNB8610HDT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB86085DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNA7610HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LNA7608HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7617HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7617DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7610DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
A+ LN76098DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76076HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ CRSE120N10L2 (CRMICRO)
 
SOP-8
 
A+ NCEP0112AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ NCE0110AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ NCEP13N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ NCEP092N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ LN4292T1G (LRC)
 
SOP-8
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.