NCE0110AS

NCE0110AS http://www.ncepower.com NCE N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE0110AS uses advanced trench technology and design to provide excellent RDS(ON) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications. General Features ● VDS = 100V,ID =10A Schematic diagram RDS(ON) < 17mΩ @ VGS=10V (Typ:14mΩ) RDS(ON) < 20mΩ @ VGS=4.5V (Typ:15.2mΩ) ● Speci...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS15G10A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 300 шт
 
A+ LN7706DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ NCEP0112AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ LNB8614DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8612DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
A+ LNB8610HDT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8610DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
A+ LNB86085DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNA7610HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LNA7608HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7617DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN7610DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
A+ LN7609DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76098DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76082DT1WG (LRC)
 
 
±
A+ LN76076HDT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN76076DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN4292T1G (LRC)
 
SOP-8
 
±
A+ CRSE120N10L2 (CRMICRO)
 
SOP-8
 
A+ NCEP092N10AS (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ LNB8616DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±

Файлы 1

показать свернуть

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.