IRFR420ATRPBF-VB

VBSemi
IRFR420ATRPBF-VB www.VBsemi.com IRFR420ATRPBF-VB Datasheet Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) 650 2.1 VGS = 10 V Qg (Max.) (nC) 48 Qgs (nC) 12 Qgd (nC) 19 Configuration Single • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Available RoHS* COMPLIANT • Fully Characterized Capacitance and Aval...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид MJD32CQ

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML9N90D1 (WAYON)
 
— в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ WMM10N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
 — — —
A+ CJPF08N90M1 (JSCJ)
 
TO-220F-B
 
 ± — — — —
A+ CJPF08N65 (JSCJ)
 
TO220F
 
 ± — — — — —
A+ CJP08N65 (JSCJ)
 
TO2203L
 
 ± — — — — —
A+ CJP07N65 (JSCJ)
 
TO2203L
 
 ± — — — — —
A+ WMK07N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — —
A+ WMP11N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — —
A+ WMP11N65C2 (WAYON)
 
TO251
 
 — — —
A+ WMO07N65C2 (WAYON)
 
TO252
 
 — — —
A+ WMM11N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
 — — —
A+ WMM09N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
 — — —
A+ TSM70N600CH C5G (TSC)
 
TO251 75 шт
 
 — —
A+ WML09N70C2 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
 — — —
A+ STD3NK50ZT4 (VBSEMI)
 
— 2500 шт
 
 — —
A+ IRFR320TRPBF-VB (VBSEMI)
 
— в ленте 2500 шт
 
 — —
A+ CRJD900N70G2 (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
A+ WML11N65C2 (WAYON)
 
TO220F
 
 — — —
A+ TSM80N950CI C0G (TSC)
 
TO220AC 50 шт
 
 — —

Файлы 1

показать свернуть
IRFR420ATRPBF-VB www.VBsemi.com IRFR420ATRPBF-VB Datasheet Power MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY VDS (V) RDS(on) (Ω) 650 2.1 VGS = 10 V Qg (Max.) (nC) 48 Qgs (nC) 12 Qgd (nC) 19 Configuration Single • Low Gate Charge Qg Results in Simple Drive Requirement • Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness Available RoHS* COMPLIANT • Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current • Compliant to RoHS directive 2002/95/EC D TO-252 G G D S S N-Channel MOSFET Top View ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS TC = 25 °C, unless otherwise noted PARAMETER Drain-Source Voltage Gate-Source Voltage Continuous Drain Currente TC = 25 °C VGS at 10 V Continuous Drain Current TC = 100 °C Pulsed Drain Currenta Linear Derating Factor Single Pulse Avalanche Energyb Repetitive Avalanche Currenta Repetitive Avalanche Energya TC = 25 °C Maximum Power Dissipation Peak Diode Recovery dV/dtc Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Recommendations (Peak Temperature)d for 10 s Mounting Torque 6-32 or M3 screw SYMBOL LIMIT UNIT VDS VGS 650 ± 30 V ID 4.5 4.2 IDM EAS IAR EAR PD dV/dt TJ, Tstg 18 0.48 325 4 6 60 2.8 - 55 to + 150 300 10 1.1 A W/°C mJ A mJ W V/ns °C lbf · in N·m Notes a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11). b. Starting TJ = 25 °C, L = 24 mH, RG = 25 Ω, IAS = 3.2 A (see fig. 12). c. ISD ≤ 3.2 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, VDD ≤ VDS, TJ ≤ 150 °C. d. 1.6 mm from case. e. Drain current limited by maximum junction temperature. 1 PDF
Документация на IRFR420ATRPBF-VB 

Дата модификации: 14.03.2024

Размер: 250.5 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)