Вход / Регистрация

WM02DN080C

WAYON
Document: W0803217, Rev: D WM02DN080C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description V(BR)DSS(V) WM02DN080C uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance This device is suitable for un-directional or bidirectional load switch, facilitated by its common-drain configuration 13.0 @VGS=4.5V 13.5 @VGS=4.0V 20 8 14.0 @VGS=3.7V 16....
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN62X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMR15N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ YJH10N02A (YJ)
 
SOT-89 в ленте 100 шт — —
A+ JMTV100N02A (JIEJIE)
 
DFN62X2 3000 шт
 
 — — — —
A+ WM02DN110C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ WM02DN095C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ WM02DN085C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ YJQ10N02A (YJ)
 
DFN2020MD6 3000 шт
 
 —
A+ LN2324DT2AG (LRC)
 
DFN20206S
 
 ± — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
Document: W0803217, Rev: D WM02DN080C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description V(BR)DSS(V) WM02DN080C uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance This device is suitable for un-directional or bidirectional load switch, facilitated by its common-drain configuration 13.0 @VGS=4.5V 13.5 @VGS=4.0V 20 8 14.0 @VGS=3.7V 16.0 @VGS=3.1V 20.5 @VGS=2.5V Features Applications ⚫ ⚫ ⚫ ⚫ ⚫ Super high dense cell for low RDS(ON) RoHS Compliant and Halogen-Free ESD protected: Class 2 RDS(on)TYP (mΩ) ID(A) Battery protection Load switch Schematic & PIN Configuration Absolute Maximum Rating Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±12 V 8 A 6.3 A IDM 49 A EAS 18 mJ IAS 19 A PD 1.56 W TJ, TSTG -55 to 150 °C RθJA 80 °C/W TA=25°C Continuous Drain Current1 ID TA=70°C Pulsed Drain Current2 Single Pulse Avalanche Energy3 Avalanche Current Total Power Dissipation4 Operating Junction and Storage Temperature Range Maximum Junction-to-Ambient1 ©2020 WAYON Corporation TA=25°C www.way-on.com 1 / 4 PDF
Документация на WM02DN080C 

Features

Дата модификации: 30.12.2022

Размер: 326.8 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)