WM02DN080C

Document: W0803217, Rev: D WM02DN080C Dual N-Channel Enhancement Mode MOSFET Description V(BR)DSS(V) WM02DN080C uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance This device is suitable for un-directional or bidirectional load switch, facilitated by its common-drain configuration 13.0 @VGS=4.5V 13.5 @VGS=4.0V 20 8 14.0 @VGS=3.7V 16....
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN62X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMR15N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ JMTV100N02A (JIEJIE)
 
DFN62X2 3000 шт
 
A+ WM02DN085C (WAYON)
 
DFN62X3
 
A+ WM02DN110C (WAYON)
 
DFN62X3
 
A+ WM02DN095C (WAYON)
 
DFN62X3
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.