JMTV100N02A

JIEJIE
JMTV100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 10A  RDS(ON) < 9.8mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) < 12.5mΩ @ VGS = 2.5V  Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free   Load Switch PWM Application  Power Management  100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! D G S DFN2020-6L 30 Marking and Pin Schemati...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN62X2
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- CJMN2012 (JSCJ)
 
—
 
 —
P- IRLHS6242TRPBF (JSMICRO)
 

IRLHS6242TRPBF (INFIN) 		— 606 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- YJQ2012A (YJ)
 
DFN2020MD6 в ленте 3000 шт
 
 —
P- WMR13N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WM02DN095C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —
A+ WMR15N02T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — —
A+ WM02DN560Q (WAYON)
 
DFN83X3
 
 — — — — — — —
A+ WM02DN110C (WAYON)
 
DFN62X3
 
 — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
JMTV100N02A Description JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET Features Applications 20V, 10A  RDS(ON) < 9.8mΩ @ VGS = 4.5V RDS(ON) < 12.5mΩ @ VGS = 2.5V  Advanced Trench Technology Excellent RDS(ON) and Low Gate Charge  Lead Free   Load Switch PWM Application  Power Management  100% UIS TESTED! 100% ΔVds TESTED! D G S DFN2020-6L 30 Marking and Pin Schematic Diagram Package Marking and Ordering Information Device Marking Device Outline Package Reel Size Reel(pcs) Per Carton (pcs) 100N02A JMTV100N02A TAPING DFN2020-6L 7" 3000 120000 Absolute Maximum Ratings (@ TA = 25°C unless otherwise specified) Symbol Parameter VDS VGS ID IDM EAS PD RθJA TJ, TSTG Value Units Drain-to-Source Voltage 20 V Gate-to-Source Voltage ±12 V Continuous Drain Current TA = 25°C 10 TA = 100°C 6 Pulsed Drain Current (1) Single Pulsed Avalanche Energy Power Dissipation (2) TA = 25°C Thermal Resistance, Junction to Ambient (3) Junction & Storage Temperature Range JieJie Microelectronics Co., Ltd 1 A 40 A 30 mJ 2.7 W 46 °C/W -55 to 150 °C Version：1.2 PDF
Документация на JMTV100N02A 

Дата модификации: 06.09.2023

Размер: 1.11 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)