WMB014N06LG4

WAYON
WMB014N06LG4 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB014N06LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET D D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This D DD G G ss s device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-8L Featur...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK020N06HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ JMSL0601BGQ-13 (JIEJIE)
 
PDFN8L5X6 5000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMB014N06LG4 60V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB014N06LG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET D D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This D DD G G ss s device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-8L Features  VDS = 60V, ID = 278A RDS(on) < 1.4mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 1.95mΩ @ VGS = 4.5V  Green Device Available  Low RDS(on)  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed RoHS compliant D G Applications S  Power Management Switches   Battery Management System Motor Driving Absolute Maximum Ratings（TA = 25°C, unless otherwise noted） Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 60 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V TC=25°C 278 ID Continuous Drain Current TC=100°C Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range A 176 IDM 1112 A EAS 500 mJ PD 183.8 W TJ , TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 50 °C/W RθJC 0.68 °C/W Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 Thermal Resistance from Junction-to-Case Rev.1.0, 2023 Doc:W0803910 1/7 PDF
Документация на WMB014N06LG4 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 16.01.2024

Размер: 978.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)