WMB027N08HG4

WAYON
WMB027N08HG4 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB027N08HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET D D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. DD G G ss s PDFN5060-8L Features ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ IRFP4468 (EVVO)
 

IRFP4468 (INFIN) 		TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 — — — — — — —
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 25 шт ± — — —
A+ WMK028N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — — — —
A+ WMK023N08HGS (WAYON)
 
— 1 шт
 
 — — — — —
A+ WMJ020N10HGS (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ WMM023N08HGS (WAYON)
 
TO263
 
 — — — — —
A+ WMM020N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 100 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMB027N08HG4 80V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB027N08HG4 uses Wayon's 4th generation power trench MOSFET D D D D D technology that has been especially tailored to minimize the on-state s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. DD G G ss s PDFN5060-8L Features  D VDS = 80V, ID = 195A RDS(on) < 2.7mΩ @ VGS = 10V  Green Device Available  Low RDS(on)  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed RoHS D compliant G Applications S  Power Management Switches   Battery Management System Motor Driving Absolute Maximum Ratings（TA = 25°C, unless otherwise noted） Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 80 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V TC=25°C Continuous Drain Current TC=100°C ID 195 A 123 IDM 780 A EAS 460.8 mJ PD 192.3 W TJ , TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 50 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 0.65 °C/W Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.1.0, 2023 Doc:W0803930 1/7 PDF
Документация на WMB027N08HG4 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:

Дата модификации: 29.08.2023

Размер: 640.1 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)