WMB072N12HG2

WMB072N12HG2 120V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB072N12HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D D D D D s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. DD G ss G PDFN5060-8L Features  ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK071N15HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 500 шт
 
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
A+ WMK049N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK058N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.