WMB100N04TS

WAYON
WMB100N04TS 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB100N04TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D D D D D s ss maintain superior switching performance. Features  D DD G ss G PDFN5060-8L VDS= 40V, ID = 125A RDS(on) < 3.6mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 4.6mΩ @ VGS = 4.5V  High Densi...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус: PDFN8L5X6
  • Норма упаковки: 3000  шт.

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P- YJG100N04A (YJ)
 
PDFN568 в ленте 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
WMB100N04TS 40V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB100N04TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D D D D D s ss maintain superior switching performance. Features  D DD G ss G PDFN5060-8L VDS= 40V, ID = 125A RDS(on) < 3.6mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 4.6mΩ @ VGS = 4.5V  High Density Cell Design  Low RDS(on)  100% EAS Guaranteed RoHS D compliant Applications  Power Management Switches  DC/DC Converter G Absolute Maximum Ratings (TA = 25°C, unless otherwise noted) Parameter S Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 40 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current TC=25°C ID TC=100°C 125 A 79 IDM 500 A EAS 135.2 mJ PD 96 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient3 RθJA 49 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 1.3 °C/W Pulsed Drain Current1 Single Pulse Avalanche Energy2 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.1.0, 2022 Doc:W0803726 1/7 s PDF
Документация на WMB100N04TS 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 16.09.2022

Размер: 618.4 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.