WMB690N15HG2
WMB690N15HG2
150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB690N15HG2 uses Wayon's 2
nd
generation power trench
D
D
D
D
D
MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the
s
ss
on-state resistance and yet maintain superior switching performance.
D
DD
G
G
ss
This device is well suited for high efficiency fast switching applications.
PDFN5060-8L
Feat...
развернуть ▼ свернуть ▲ 
- Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | PDFN8L5X6 | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность |  | |
| Максимальное напряжение сток-исток |  | |
| Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса |  | |
| Сопротивление открытого канала (мин) |  | |
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) |  | |
| Максимальное напряжение затвора |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 2
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A+ | WMB340N20HG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 800 шт |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — | ||
| A+ | WMO690N15HG2 (WAYON) | TO252 |  |  |  |  |  | — |  | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB690N15HG2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 13.01.2022
Размер: 472.2 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.