WMB690N15HG2

WMB690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB690N15HG2 uses Wayon's 2 nd generation power trench D D D D D MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the s ss on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D DD G G ss This device is well suited for high efficiency fast switching applications. PDFN5060-8L Feat...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB340N20HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 800 шт
 
A+ WMO690N15HG2 (WAYON)
 
TO252
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.