WMO690N15HG2

WAYON
WMO690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO690N15HG2 uses Wayon's 2 nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the D on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-252 Features  S VDS= 150V, ID =20A RDS(on) &l...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB340N20HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB690N15HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMO690N15HG2 150V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO690N15HG2 uses Wayon's 2 nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the D on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. G TO-252 Features  S VDS= 150V, ID =20A RDS(on) < 65mΩ @ VGS = 10V  Green Device Available  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed D RoHS compliant Applications G  Synchronous Rectification  LED Backlighting  Motor Control S Absolute Maximum Ratings (Tc = 25°C, unless otherwise noted) Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 150 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V TC=25°C 20 ID Continuous Drain Current TC=100°C A 12.6 Pulsed Drain Current4 IDM 80 A EAS 20 mJ PD 56.8 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 RθJA 52 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case RθJC 2.2 °C/W Single Pulse Avalanche Energy3 Total Power Dissipation TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.1.0, 2021 Doc:W0803573 1/7 PDF
Документация на WMO690N15HG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 02.11.2022

Размер: 978.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)