WMJ10N80D1

WAYON
WML10N80D1 WMJ10N80D1 800V 10A 0.91Ω N-ch Power MOSFET Description TO-220F WMOSTM D1 is Wayon’s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. TO-247 TAB G D G D S Features  Typ.RDS(on)=0.91Ω@VGS=10V  100% avalanche tested ...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML9N90D1 (WAYON)
 
— в линейках 50 шт
 
 — — — —
A+ WML10N80D1 (WAYON)
 
— в линейках 50 шт
 
 — — —
A+ WMO90R500S (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
WML10N80D1 WMJ10N80D1 800V 10A 0.91Ω N-ch Power MOSFET Description TO-220F WMOSTM D1 is Wayon’s 1st generation VDMOS family that is dramatic reduction in on-resistance and ultra-low gate charge for applications requiring high power density and high efficiency. And it is very robust and RoHS compliant. TO-247 TAB G D G D S Features  Typ.RDS(on)=0.91Ω@VGS=10V  100% avalanche tested  Pb-free，Halogen free RoHS Applications  SMPS  Charger  DC-DC S compliant Absolute Maximum Ratings（TC=25℃） Parameter Symbol WML10N80D1 WMJ10N80D1 Unit Drain-source voltage VDSS 800 V Gate-source voltage VGS ±30 V Continuous drain current ID 10 A Pulsed drain current IDM 40 A Avalanche energy, single pulse EAS 930 mJ Power dissipation PD Derate above 25°C Operating junction temperature Storage temperature Continuous diode forward current Diode pulse current 62.5 215 W 0.5 1.72 W/℃ Tj -55~150 ℃ Tstg -55~150 ℃ IS 10 A ISpulse 40 A Thermal Characteristic Thermal resistance,junction-to-case RθJC 2 0.58 ℃/W Thermal resistance,junction-to-ambient RθJA 62.5 62.5 ℃/W Rev.1.2 2022 www.way-on.com PDF
Документация на WMJ10N80D1 

Subject:

Дата модификации: 06.04.2023

Размер: 2.42 Мб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    12 февраля 2026
    статья

    Высоковольтные VD- и SJ-MOSFET: современный выбор для источников питания и инверторов

    Владислав Долгов (КОМПЭЛ) Высоковольтные MOSFET–транзисторы являются ключевыми элементами современной силовой электроники. Они применяются в импульсных источниках питания, PFC–преобразователях, сварочных инверторах, зарядных... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)