WMJ80R260S

WML80R R260S, WM MK80R260 0S WMN N80R260S,, WMM80R R260S, WM MJ80R260 0S 800V 0.22Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM S is Wayyon’s new generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low gate g charge e performan nce. WMOS S G D S G S D G S is TO-22 20F suitable fo or appli...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML80R260S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMM25N80M3 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WMM80R260S (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
A+ WML25N80M3 (WAYON)
 
TO220F 10 шт
 
A+ WMK25N80M3 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMK80R260S (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMJ25N80M3 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт

Файлы 1

показать свернуть
WML80R R260S, WM MK80R260 0S WMN N80R260S,, WMM80R R260S, WM MJ80R260 0S 800V 0.22Ω Super S Ju unction Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM S is Wayyon’s new generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low gate g charge e performan nce. WMOS S G D S G S D G S is TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 D S TO-220 T D power density and outstanding efficiency. Features S G G TO-26 63  VDS =8 850V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.22 2Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S D TO O-247 R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit VDSSS 800 V ID 23 A 13 A IDM M 78 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 340 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.5 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 3.4 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current1) Diode pulse e current 2) 227 34 W 1.8 0.27 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 23 A IS,puulse 78 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.55 3.6 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 2020 Doc.W08 880034 1 / 12 PDF
Документация на серию WMx80R260S 

Microsoft Word - WMx80R260S W0880034 V2.0

Дата модификации: 22.03.2022

Размер: 656.1 Кб

12 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.