WMJ90R360S

WAYON
WML90R R360S, WM MK90R360 0S WMN N90R360S,, WMM90R R360S, WM MJ90R360 0S 900V 0.28Ω 0 Super S Ju unction P Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM S is Wayyon’s new generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low gate g charge e performan nce. WMOS S G D S G S D G S is TO-22 20F suitable fo or a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMK80R350S (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — — — —
P= WMJ80R350S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ WML90R260S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
 — — — — —
A+ WMJ90R260S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ WML90R360S (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WML90R R360S, WM MK90R360 0S WMN N90R360S,, WMM90R R360S, WM MJ90R360 0S 900V 0.28Ω 0 Super S Ju unction P Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM S is Wayyon’s new generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low gate g charge e performan nce. WMOS S G D S G S D G S is TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 D S TO-220 T D power density and outstanding efficiency. Features S G G TO-26 63  VDS =9 950V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.28 8Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S D TO O-247 R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit VDSSS 900 V ID 13 A 7.8 A IDM M 52 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 150 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.3 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 2.5 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current1) Diode pulse e current 2) 183 34 W 1.5 0.27 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 13 A IS,puulse 52 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.68 3.6 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 2021 Doc.W08 890026 1 / 12 PDF
Документация на серию WMx90R360S 

Microsoft Word - WMx90R360S W0890026 V2.0

Дата модификации: 22.07.2022

Размер: 658.2 Кб

12 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)