WMJ80R350S

WML80R R350S, WM MK80R350 0S WMN N80R350S,, WMM80R R350S, WM MJ80R350 0S 800V 0.27Ω 0 Super S Ju unction P Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM S is Wayyon’s new generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low gate g charge e performan nce. WMOS S G D S G S D G S is TO-22 20F suitable fo or a...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 22

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMK80R350S (WAYON)
 
TO-220-3
 
P- WMJ90R360S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WML80R260S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML80R350S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML15N80M3 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
A+ WML13N80M3 (WAYON)
 
TO220F в линейках 10 шт
 
A+ WMK80R260S (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMK25N80M3 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMK15N80M3 (WAYON)
 
TO-220-3 1 шт
 
A+ WMO13N80M3 (WAYON)
 
TO252 10 шт
 
A+ WMM80R350S (WAYON)
 
TO263 24 шт
 
A+ WMM80R260S (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
A+ YJB17C80HJ (YJ)
 
12 шт
 
A+ WMM13N80M3 (WAYON)
 
TO263 1 шт
 
A+ WMJ90R260S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMJ80R260S (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A+ WMJ25N80M3 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт
A+ WMJ15N80M3 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 330 шт
A+ WMM25N80M3 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
A+ WML90R360S (WAYON)
 
TO220F в линейках 1000 шт
 
A+ WML90R260S (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML25N80M3 (WAYON)
 
TO220F 10 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
WML80R R350S, WM MK80R350 0S WMN N80R350S,, WMM80R R350S, WM MJ80R350 0S 800V 0.27Ω 0 Super S Ju unction P Power MOSFET M T Descrip ption WMOSTM S is Wayyon’s new generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low gate g charge e performan nce. WMOS S G D S G S D G S is TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 D S TO-220 T D power density and outstanding efficiency. Features S G G TO-26 63  VDS =8 850V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.27 7Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S D TO O-247 R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit VDSSS 800 V ID 14 A 8.4 A IDM M 56 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 150 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.3 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 2.5 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current1) Diode pulse e current 2) 183 34 W 1.5 0.27 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 14 A IS,puulse 56 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.68 3.6 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 2021 Doc.W08 880036 1 / 12 PDF
Документация на серию WMx80R350s 

Microsoft Word - WMx80R350S W0880036 V2.0

Дата модификации: 22.07.2022

Размер: 657.1 Кб

12 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.