WMK028N10HG2

WAYON
WMK028N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK028N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. GD Features  S TO-220 VDS =100V, ID = 245A(Silicon Lim...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-220-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMK020N06HG4 (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P= IRFB4110 (EVVO)
 

IRFB4110 (INFIN) 		TO-220-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
P= WMLL029NV8HGS (WAYON)
 
— в ленте 3000 шт — — —
A+ WMM028N10HG2 (WAYON)
 
TO263 5 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMK028N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMK028N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. GD Features  S TO-220 VDS =100V, ID = 245A(Silicon Limited) RDS(on) < 2.8mΩ @ VGS = 10V  High Speed Power Switching  Low RDS(on)  Low Gate Charge  100% EAS Guaranteed D RoHS compliant G Applications  Hard Switching and High Speed Circuit  DC/DC Converters  Synchronous Rectification in SMPS S Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V 245 TC=25℃ Continuous Drain Current1(Silicon Limited) ID TC=100℃ Continuous Drain Current1(Package Limited) Single Pulse Avalanche Energy3 Avalanche Current Total Power Dissipation4 TC=25℃ Operating Junction and Storage Temperature Range A 175 TC=25℃ Pulsed Drain Current2 170 IDM 780 A EAS 845 mJ IAS 65 A PD 278 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit RθJA 61 °C/W RθJC 0.45 °C/W Thermal Characteristics Parameter Thermal Resistance from Junction-to-Ambient Thermal Resistance from Junction-to-Case 1 Rev.3.0, 2019 1 Doc:W0803411 1 / 6 PDF
Документация на WMK028N10HG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:

Дата модификации: 13.09.2022

Размер: 607.7 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)