WMB080N10HG2

WAYON
WMB080N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB080N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D D D D s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. D DD G ss G PDFN5060-8L Features ⚫ ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид WMB017N03LG2
Внешний вид WMB017N03LG2
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L5X6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO080N10HG2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —
A+ WMB043N10HGS (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1000 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK072N12HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMB080N10HG2 100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMB080N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state D D D D s ss resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. D DD G ss G PDFN5060-8L Features ⚫ D VDS = 100V, ID = 74A(Silicon Limited) RDS(on) < 8mΩ @ VGS = 10V ⚫ Green Device Available ⚫ 100% EAS Guaranteed ⚫ RoHS D compliant Optimized for High Speed Smooth Switching G Applications ⚫ Hard Switching and High Speed Circuit ⚫ DC/DC Conversion ⚫ Synchronous Rectification in SMPS S Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 100 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V 74 TC=25℃ Continuous Drain Current1(Silicon Limited) ID A 47 TC=100℃ Pulsed Drain Current2 IDM 260 A EAS 204.8 mJ IAS 32 A PD 80.6 W TJ , TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 RθJA 51 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case1 RθJC 1.55 °C/W Single Pulse Avalanche Energy3 Avalanche Current Total Power Dissipation4 TC=25℃ Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.1.0, 2019 Doc:W0803334 1 / 6 s PDF
Документация на WMB080N10HG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 12.07.2022

Размер: 535.9 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)