WMB080N10HG2
WMB080N10HG2
100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMB080N10HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
D
D
D
D
s
ss
resistance and yet maintain superior switching performance. This device
is well suited for high efficiency fast switching applications.
D
DD
G
ss
G
PDFN5060-8L
Features
⚫
...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: PDFN8L5X6
- Норма упаковки: 3000 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | PDFN8L5X6 | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 5
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | WMO080N10HG2 (WAYON) | TO252 | в ленте 800 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB043N10HGS (WAYON) | PDFN8L5X6 | в ленте 1000 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMK072N12HG2 (WAYON) | TO-220-3 | в линейках 50 шт | — | — | — | — | — | — | ||||||||
A+ | WMB072N12HG2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | WMB128N10T2 (WAYON) | PDFN8L5X6 | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMB080N10HG2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 12.07.2022
Размер: 535.9 Кб
6 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.