WMM38N60C2

WAYON
WML38N N60C2, WM MK38N60C C2 WMN38N60C2, WMM38N N60C2, WM MJ38N60C C2 600V 0.089Ω 0 Super S Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS G D S G S D G C2 is TO-22 20F suitable fo or applicattions...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ NCE65NF068T (NCE)
 
TO-247-3 в линейках 600 шт
 
 — — —
A+ WMJ38N60C2 (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — —
A+ CRJQ60N65G2BF (CRMICRO)
 
TO-247-3
 
 — — —

Файлы 1

показать свернуть
WML38N N60C2, WM MK38N60C C2 WMN38N60C2, WMM38N N60C2, WM MJ38N60C C2 600V 0.089Ω 0 Super S Junction Power MOSFET Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS G D S G S D G C2 is TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior TO O-262 D S TO-220 T D power density and outstanding efficiency. Features S G G TO-26 63  VDS =6 650V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.08 89Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S D TO O-247 R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit VDSSS 600 V ID 38 A 21 A IDM M 100 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 740 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 1.0 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 4.5 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current1) Diode pulse e current 2) 277 34 W 2.22 0.27 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 33 A IS,puulse 100 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WM MK/WMM/WM MN/WMJ WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 0.45 3.6 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.1.1, 2017 Doc.W08 860024 1 / 12 PDF
Документация на WMJ38N60C2 

Microsoft Word - WMx38N60C2 W0860024 V1.1

Дата модификации: 11.10.2022

Размер: 585.1 Кб

12 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)