WMN05N100C2

WML05N100C2, WMK05N100C2, WMM M05N100C C2 WMN05N N100C2, WMP05N10 W 0C2, WMO O05N100C C2 1000 0V 2.6Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS C2 is G D S TO-22 20F suitable fo or appli...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-262-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WML10N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WMK07N100C2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ 4N120L-TA3-T (UTC)
 
 
A+ SK05N120B-TF (SHIKUES)
 
TO220F
 
±
A+ SK04N100B-TF (SHIKUES)
 
TO220F
 
±
A+ SK03N120B-TF (SHIKUES)
 
TO220F
 
±
A+ CS3N120FA9R (CRMICRO)
 
TO220F 1000 шт
A+ WMO05N100C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ BL6N120-A (CN BELL)
 
в линейках 4 шт
 
N-Channel High Voltage Planar MOSFET, TO-220F, 1300 V, 6 A, 2,3 Ohm Fast Switching, 100% avalanche tested, Improved dv/dt capability, RoHS product, High frequency switching mode power supply
A+ WMK10N100C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMO10N100C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WML07N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML05N100C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
WML05N100C2, WMK05N100C2, WMM M05N100C C2 WMN05N N100C2, WMP05N10 W 0C2, WMO O05N100C C2 1000 0V 2.6Ω Super S Junction Power MOSFET T Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS C2 is G D S TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior G S D G TO O-262 D D S S G G TO-26 63  VDS =1 1050V @ Tj,max  Typ. RDS(on) =2.6Ω Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S TO-220 T power density and outstanding efficiency. Features D G S D TO O-251 TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WMK//WMM/WMO/W WMP/WMN WML Unit VDSSS 1000 V ID 3 A 2 A IDM M 11 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 55 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.1 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 1 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 57 27 W 0.46 0.22 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 3 A IS,puulse 11 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMK//WMM/WMO/W WMP/WMN WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 2.2 4.6 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 2019 Doc.W08 890005 1 / 10 PDF
Документация на серию WMx05N100C2 

Microsoft Word - WMx05N100C2 W0890005 V2.0

Дата модификации: 16.01.2020

Размер: 653.4 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.