WMN10N65C2

WML1 10N65C2, WMK10N65C2, WM MM10N65C C2 WMN10N65C2, WMP10N65C2, WM MO10N65C C2 650V V 0.61Ω Super Junction J n Power MOSFE ET Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS C2 is G D S TO-22 20F suitable fo or applicattion...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-262-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO14N70C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
A+ WMP11N65C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMK20N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK16N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK14N70C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK11N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMK10N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMP14N65C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMP11N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMO16N65C2 (WAYON)
 
TO252
 
A+ WMN16N65C2 (WAYON)
 
TO-262-3
A+ WMO90R500S (WAYON)
 
TO252 в коробках 1000 шт
 
A+ WMO11N65C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 5000 шт
 
A+ WMN11N65C2 (WAYON)
 
TO-262-3
A+ WMM14N70C2 (WAYON)
 
TO263
 
A+ WMM11N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
A+ WMM10N65C2 (WAYON)
 
TO263
 
A+ WML16N70C2 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
A+ WML14N70C2 (WAYON)
 
TO220F
 
A+ WML11N65C2 (WAYON)
 
TO220F
 

Файлы 1

показать свернуть
WML1 10N65C2, WMK10N65C2, WM MM10N65C C2 WMN10N65C2, WMP10N65C2, WM MO10N65C C2 650V V 0.61Ω Super Junction J n Power MOSFE ET Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance TM and low ga ate charge performancce. WMOS C2 is G D S TO-22 20F suitable fo or applicattions which h require superior G S D G TO O-262 D D S S G G TO-26 63  VDS =7 700V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =0.61Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e S TO-220 T power density and outstanding efficiency. Features D G S D TO O-251 TO-252 T R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Symbol Drain-sourcce voltage WMK//WMM/WMO/W WMP/WMN WML Unit VDSSS 650 V ID 8 A 4.8 A IDM M 17 A VGS G ±30 V Avalanche energy, e single e pulse EAS A 55 mJ Avalanche energy, e repetitive2) EAR 0.15 mJ 2) Avalanche current, c repetiitive IARR 1.2 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD Continuous drain current1) ( TC = 25 5°C ) ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current2) Gate-source e voltage 3) - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current 57 27 W 0.46 0.22 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 8 A IS,puulse 17 A Thermal Character C ristics Parametter Symbol WMK//WMM/WMO/W WMP/WMN WML Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 2.2 4.6 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 80 °C/W Rev.2.0, 2017 Doc.W08 865017 1 / 10 PDF
Документация на WMK10N65C2 

Microsoft Word - WMx10N65C2 W0865017 V2.0

Дата модификации: 28.07.2022

Размер: 597.9 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.