WMO09P10TS

WMO09P10TS 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO09P10TS uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet D maintain superior switching performance. G TO-252 Features  S VDS= -100V, ID = -9A RDS(on) < 310mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 350mΩ @ VGS = -4.5V  Green Device Available  100% EAS Guaran...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
  • Корпус:

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Карточка
товара
P= WMO18P10T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P= WMO18P10TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P= CRTD680P10LQ (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P- NCE01P13K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- CJU12P10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
P- YJD18GP10A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P- IRFR9120NTRPBF (JSMICRO)
 

IRFR9120NTRPBF (INFIN)
 
P- IRFR9120NTRPBF-VB (VBSEMI)
 
1 шт
 
P- JMPL1050AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.