WMO09P10TS
WMO09P10TS
100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
Description
WMO09P10TS uses advanced power trench technology that has
been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet
D
maintain superior switching performance.
G
TO-252
Features
S
VDS= -100V, ID = -9A
RDS(on) < 310mΩ @ VGS = -10V
RDS(on) < 350mΩ @ VGS = -4.5V
Green Device Available
100% EAS Guaran...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Корпус: —
Аналоги 9
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|
| P= | WMO18P10T1 (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | ||
| P= | WMO18P10TS (WAYON) | TO252 | в ленте 2500 шт | ||
| P= | CRTD680P10LQ (CRMICRO) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| |
| P- | NCE01P13K (NCE) | TO252 | в ленте 2500 шт | ||
| P- | CJU12P10 (JSCJ) | TO2522L | |||
| P- | YJD18GP10A (YJ) | TO252 | в ленте 2500 шт |
| |
| P- | IRFR9120NTRPBF (JSMICRO) IRFR9120NTRPBF (INFIN) | — | |||
| P- | IRFR9120NTRPBF-VB (VBSEMI) | — | 1 шт | ||
| P- | JMPL1050AK-13 (JIEJIE) | TO252 | в ленте 2500 шт |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMO09P10TS
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 20.11.2023
Размер: 980.8 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.