CRTD680P10LQ

CR Micro
CRTD680P10LQ 华润微电子(重庆)有限公司 Trench P-MOSFET -100V, 72mΩ, -17A Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology VDS -100V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ 72mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID -17A • Qualified according to AEC-Q101 standard 100% DVDS Tested Applications • Motor control and drive 100% Avalanche Tested • Batte...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMO18P10TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P- NCE01P13K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — — —
P- CJU12P10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
P- YJD18GP10A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт — —
P- JMPL1050AK (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
P- IRFR9120NTR (YOUTAI)
 

IRFR9120NTR (INFIN) 		— в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRFR9120N (EVVO)
 

IRFR9120N (INFIN) 		TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
CRTD680P10LQ 华润微电子(重庆)有限公司 Trench P-MOSFET -100V, 72mΩ, -17A Features Product Summary • Uses CRM(CQ) advanced Trench technology VDS -100V • Extremely low on-resistance RDS(on) RDS(on)@10V typ 72mΩ • Excellent QgxRDS(on) product(FOM) ID -17A • Qualified according to AEC-Q101 standard 100% DVDS Tested Applications • Motor control and drive 100% Avalanche Tested • Battery management • UPS (Uninterrupible Power Supplies) CRTD680P10LQ Package Marking and Ordering Information Part # Marking Package Packing CRTD680P10LQ 680P10LQ TO-252 Tape&reel Reel Size Tape Width Qty N/A N/A 2500pcs Symbol Value Unit VDS -100 V Absolute Maximum Ratings Parameter Drain-source voltage Continuous drain current TC = 25°C (Silicon limit) -19 ID TC = 25°C (Package limit) A -80 TC = 100°C (Silicon limit) -12 Pulsed drain current (TC = 25°C, tp limited by Tjmax) Avalanche energy, single pulse (L=0.5mH, Rg=25Ω) [1] Gate-Source voltage Power dissipation (TC = 25°C) Operating junction and storage temperature ID pulse -74 A EAS 72 mJ VGS ±20 V Ptot 60 W Tj , T stg -55...+150 °C 260 °C Value Unit Soldering temperature, wave soldering only allowed at leads Tsold (1.6mm from case for 10s) Notes:1.EAS was tested at Tj = 25℃, L = 0.5mH, IAS = -17A, Vgs=-10V. Thermal Resistance Parameter Symbol min. Rev 1.0 typ. Max Thermal resistance, junction – case. RthJC - - 2.10 Thermal resistance, junction – ambient(min. footprint) RthJA - - 29 ©China Resources Microelectronics (Chongqing) Limited °C/W Page 1 PDF
Документация на CRTD680P10LQ 

CRTD680P10LQ P1V(P100V_mR_A) DS_v1.0 20230203.xlsx

Дата модификации: 03.02.2023

Размер: 1.25 Мб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    18 марта 2024
    новость

    Новые полевые транзисторы и сборки производства CR MICRO поступили на склад КОМПЭЛ

    Ассортимент продукции, представленной на нашем складе, недавно пополнили транзисторы и сборки MOSFET производства китайской компании China Resources Microelectronics Limited (CR MICRO). Она была основана в 2002 году и является частью огромного... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM01P41M (WAYON)