YJD18GP10A

Yangjie
RoHS YJD18GP10A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -100V -18A ＜110 mΩ ＜120 mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJD120N04A
Внешний вид YJD120N04A
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMO18P10TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P- NCE01P13K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 ± — — — —
P- CJU12P10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
P- WMO18P10T1 (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — —
P- YJD18GP10AQ (YJ)
 
— — —
P- CRTD680P10LQ (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 2500 шт — — —
P- JMPL1050AK (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
P- IRFR9120NTRPBF (JSMICRO)
 

IRFR9120NTRPBF (INFIN) 		—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRFR9120NTR (YOUTAI)
 

IRFR9120NTR (INFIN) 		— в ленте 2500 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRFR9120NTRPBF-VB (VBSEMI)
 
— 1 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- JMPL1050AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — —
P- WMO09P10TS (WAYON)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- IRFR9120N (EVVO)
 

IRFR9120N (INFIN) 		TO252 в ленте 2500 шт
 
 — — — — —
P- IRFR9120NPBF-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJD18GP10A COMPLIANT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=-10V) ● RDS(ON)( at VGS=-4.5V) ● 100% EAS Tested ● 100% ▽VDS Tested -100V -18A ＜110 mΩ ＜120 mΩ General Description ● Split gate trench MOSFET technology ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Moisture Sensitivity Level 1 ● Epoxy Meets UL 94 V-0 Flammability Rating ● Halogen Free Applications ● Power management ● Portable equipment ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃ unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS -100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V -18 TC=25℃ Drain Current A ID -12 Tc=100℃ Pulsed Drain Current A Avalanche energy B IDM -72 A EAS 72 mJ 72 Tc=25℃ Total Power Dissipation C PD W 29 Tc=100℃ Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG ℃ -55～+150 ■Thermal resistance Parameter Symbol Typ Max Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State RθJA 40 50 Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC 1.35 1.7 Units ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJD18GP10A F1/F2 YJD18GP10A 2500 / 25000 13“ reel 1/7 S-E083 Rev.3.7,19-Mar-22 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJD18GP10A 

Microsoft Word - YJD18GP10A Rev3.7

Дата модификации: 22.03.2022

Размер: 299.7 Кб

7 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    16 июля 2024
    статья

    Yangjie – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания Yangjie осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)