WMO18P10T1

WMO18P10T1 100V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO18P10T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features  G TO-252 VDS = -100V, ID = -18A RDS(on) < 110mΩ @ VGS = -10V S RDS(on) < 120mΩ @ VGS = -4.5V  Extremely Low Switching Loss  Excelle...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= WMO18P10TS (WAYON)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P= WMO09P10TS (WAYON)
 
 
P- IRFR9120NTRPBF (JSMICRO)
 

IRFR9120NTRPBF (INFIN)
 
P- NCE01P13K (NCE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
±
P- IRFR9120N (EVVO)
 

IRFR9120N (INFIN)
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- JMPL1050AK-13 (JIEJIE)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
P- IRFR9120NTRPBF-VB (VBSEMI)
 
1 шт
 
P- IRFR9120NTR (YOUTAI)
 

IRFR9120NTR (INFIN)
в ленте 2500 шт
 
P- CRTD680P10LQ (CRMICRO)
 
TO252 в ленте 5000 шт
P- YJD18GP10A (YJ)
 
TO252 в ленте 2500 шт
P- CJU12P10 (JSCJ)
 
TO2522L
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.