WMO18N20T2

WMO18N20T2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMO18N20T2 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. D Features ⚫ S G TO-252 VDS= 200V, ID = 18A RDS(on) < 130mΩ @ VGS = 10V RDS(on) < 150mΩ @ VGS = 4.5V ⚫ High Speed Power Smooth Switching, Logic Leve...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCEP0218K (NCE)
 
TO252 200 шт
 
±
A+ CS30N20A8R (CRMICRO)
 
TO220AB
 
A+ NCEP02525F (NCE)
 
TO220F
 
±
A+ NCEP02525K (NCE)
 
TO252
 
±
A+ CS30N20FA9R (CRMICRO)
 
TO220F
A+ NCEP0225G (NCE)
 
 
±
A+ NCEP0230D (NCE)
 
TO2632L
 
±
A+ NCE0224AK (NCE)
 
TO252
 
±
A+ NCEP0225K (NCE)
 
TO252
 
±

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.