WML340N20HG2

WAYON
WML340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. GD S TO-220F Features  VDS = 200V, ID = 28A RDS(on) <...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMB340N20HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6 в ленте 1600 шт
 
 — — — — — —
A+ WMK340N20HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
 — — — — — —
A+ WMM340N20HG2 (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WML340N20HG2 200V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WML340N20HG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and yet maintain superior switching performance. This device is well suited for high efficiency fast switching applications. GD S TO-220F Features  VDS = 200V, ID = 28A RDS(on) < 34mΩ @ VGS = 10V  High Speed Power Switching  100% EAS Guaranteed  Low Gate Charge RoHS Applications  DC/DC Converter  LED Backlighting  Motor Control D compliant G S Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 200 V Gate-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current1 TC=25°C ID TC=100°C 28 A 18 IDM 112 A EAS 105.8 mJ PD 59.5 W TJ , TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to-Ambient1 RθJA 60 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case1 RθJC 2.1 °C/W Pulsed Drain Current2 Single Pulse Avalanche Energy3 Total Power Dissipation4 TC=25°C Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.1.0, 2020 Doc:W0803510 1 / 7 PDF
Документация на WML340N20HG2 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro Keywords:

Дата модификации: 22.06.2021

Размер: 540.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)