WMP04N65C2

WMH04N65C2, WM MG04N65C C2 WMP04N65C2, WM MO04N65C C2 650 0V 1.7Ω Super Junction J n Power MOSFE ET Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super D junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge S balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance G G and low ga ate charge performancce. WMOSTM C2 is D S T TO-251 TO--252 suitable fo or applicattions which h r...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO251
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 14

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMO09N65C2 (WAYON)
 
TO252 в ленте 10 шт
 
A+ WML04N65C2 (WAYON)
 
TO220F в линейках 50 шт
 
A+ WML09N70C2 (WAYON)
 
TO220F 1 шт
 
A+ WML09N65C2 (WAYON)
 
TO220F
 
A+ WML07N70C2 (WAYON)
 
TO220F
 
A+ WMK09N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMF07N70C2 (WAYON)
 
SOT-223
A+ WMK07N65C2 (WAYON)
 
TO-220-3
 
A+ WMP09N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMP07N70C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMP07N65C2 (WAYON)
 
TO251
 
A+ WMO07N65C2 (WAYON)
 
TO252
 
A+ WMN09N65C2 (WAYON)
 
TO-262-3
A+ WMM09N65C2 (WAYON)
 
TO263
 

Файлы 1

показать свернуть
WMH04N65C2, WM MG04N65C C2 WMP04N65C2, WM MO04N65C C2 650 0V 1.7Ω Super Junction J n Power MOSFE ET Descrip ption WMOSTM C2 is Wa ayon’s 2nd generation n super D junction MOSFET M fa amily that is utilizing charge S balance te echnology fo or extremelyy low on-re esistance G G and low ga ate charge performancce. WMOSTM C2 is D S T TO-251 TO--252 suitable fo or applicattions which h require superior power density and outstanding efficiency. Features G D S TO O-251S3  VDS =7 700V @ Tj,m max  Typ. RDS(on) =1.7Ω Ω  100% UIS tested  Pb-free plating, Halogen H free e G D S TO-2 251S2 R RoHS co ompliant Applications LED Lighting, Charge er, Adapter, PC, LCD TV, T Server Absolute e Maximum m Ratings Parametter Drain-sourcce voltage Continuous drain current 1) ( TC = 25 5°C ) Symbol WMO/WM MP/WMG/WM MH Unit VDSSS 650 V ID 3 A 1.8 A IDM M 5 A VGS G ±30 V ( TC = 100 0°C ) Pulsed drain current 2) Gate-source e voltage Avalanche energy, e single e pulse3) EAS A 11 mJ 2) Avalanche energy, e repetitive EAR 0.05 mJ Avalanche current, c repetiitive2) IARR 0.6 A Power dissiipation ( TC = 25°C 2 ) PD 29 W 0.23 W/°C Tj, Tstg -55 5 to +150 °C IS 3 A IS,puulse 5 A Symbol WMO/WM MP/WMG/WM MH Unit Thermal ressistance, juncttion-to-case RθJJC 4.3 °C/W Thermal ressistance, juncttion-to-ambien nt RθJJA 62 °C/W - Derrate above 25°C Operating and a storage te emperature ran nge Continuous diode forward d current Diode pulse e current Thermal Character C ristics Parametter Rev.2.0, 2017 Doc.W086 65001 1/8 PDF
Документация на WMP04N65C2 

Microsoft Word - WMx04N65C2 W0865001 V2.0

Дата модификации: 28.07.2022

Размер: 698.1 Кб

8 стр.

    Публикации 0

    показать свернуть

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.