WMQ30N02T1

WAYON
WMQ30N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ30N02T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D D D D D D yet maintain superior switching performance. S S G Features S  PDFN3030-8L VDS= 20V, ID = 30A D G S RDS(on) < 4.5mΩ @ VGS = 4.5V RDS(on) < 5mΩ @ VGS = 2.5V  Low RDS(o...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L3X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJQ47N02A (YJ)
 
—
 
 — —
A+ YJD60N02A (YJ)
 
TO252 20 шт —
A+ CJU55N02 (JSCJ)
 
TO2522L
 
 ± — — — — —
A+ JMTK2006A (JIEJIE)
 
TO252 2500 шт
 
 — — — —
A+ NCE2060K (NCE)
 
TO252
 
 ± — — — —

Файлы 1

показать свернуть
WMQ30N02T1 20V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ30N02T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D D D D D D yet maintain superior switching performance. S S G Features S  PDFN3030-8L VDS= 20V, ID = 30A D G S RDS(on) < 4.5mΩ @ VGS = 4.5V RDS(on) < 5mΩ @ VGS = 2.5V  Low RDS(on)  Advanced High Cell Density Trench Technology  100% EAS Guaranteed RoHS D compliant Applications  High Current Load Applications  Load Switching  Hard Switched and High Frequency Circuits  Uninterruptible Power Supply G S Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit Drain-Source Voltage VDS 20 V Gate-Source Voltage VGS ±10 V 30 TC=25℃ Continuous Drain Current1 ID Pulsed Drain Current2 A 11 TC=100℃ IDM 110 A EAS 61.2 mJ IAS 35 A PD 37.8 W TJ, TSTG -55 to 150 °C Symbol Value Unit Thermal Resistance from Junction-to- Ambient1 RθJA 36 °C/W Thermal Resistance from Junction-to-Case1 RθJC 3.3 °C/W Single Pulse Avalanche Energy3 Avalanche Current Total Power Dissipation4 TC=25℃ Operating Junction and Storage Temperature Range Thermal Characteristics Parameter Rev.3.0, 2019 Doc:W0803263 1/6 S S PDF
Документация на WMQ30N02T1 

Shang Hai Wayon Thermo-Electro

Дата модификации: 31.05.2022

Размер: 586.7 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)