WMQ42P03T1

WMQ42P03T1 30V P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description WMQ42P03T1 uses advanced power trench technology that has been especially tailored to minimize the on-state resistance and D D D D D yet maintain superior switching performance. Features  S S S D D D G G S S PDFN3030-8L VDS= -30V, ID = -42A RDS(on) < 14mΩ @ VGS = -10V RDS(on) < 22mΩ @ VGS = -4.5V  Gree...
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN8L3X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- NCE30P20Q (NCE)
 
DFN83X3 в ленте 105 шт
 
±
P- CJAC50P03S (JSCJ)
 
PDFN8L5X6
 
P- JMTQ100P03A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.