NCE30P20Q

NCE30P20Q http://www.ncepower.com NCE P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET Description The NCE30P20Q uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge . This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. General Features Schematic diagram ● VDS = -30V,ID = -20A RDS(ON) < 25mΩ @ VGS=-4.5V RDS(ON) < 15mΩ @ VGS=-10V ● High Power and c...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN83X3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора ±
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 7

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- WMQ42P03T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
 
P- CJAE35P03 (JSCJ)
 
 
±
P- WMQ25P03T1 (WAYON)
 
PDFN8L3X3 в ленте 3000 шт
P- CRTK140P03LZ (CRMICRO)
 
DFN83X3
 
P- CJAC50P03S (JSCJ)
 
PDFN8L5X6
 
P- JMTQ100P03A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 
P- JMTQ160P03A (JIEJIE)
 
PDFN8L3X3 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.