WMS080N10LG2
WMS080N10LG2
100V N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
D
Description
D
D
D
WMS080N10LG2 uses Wayon's 2nd generation power trench MOSFET
S
technology that has been especially tailored to minimize the on-state
S
resistance and yet maintain superior switching performance. This
S
G
SOP-8L
device is well suited for high efficiency fast switching applications.
Features
VDS= 100V, ID...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: SOP8L
Технические характеристики
показать свернутьКорпус | SOP8L | |
---|---|---|
Конфигурация и полярность | ||
Максимальное напряжение сток-исток | ||
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса | ||
Сопротивление открытого канала (мин) | ||
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
Максимальное напряжение затвора |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 4
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Uси | Iс(25°C) | RDS on | Rси (вкл) | Uзатв (ном) | Uзатв(макс) | Qзатв | Pрасс | Примечание | Cзатв | Особенности | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
A+ | NCEP0114AS (NCE) | SO-8 SOIC8 |
| ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | NCEP092N10AS (NCE) | SO-8 SOIC8 |
| ± | — | — | — | ||||||||||
A+ | LNB8610DT0AG (LRC) | DFN33338A | — | — | — | — | — | — | |||||||||
A+ | LN76076DT1WG (LRC) | DFN5×68B | ± | — | — | — | — | — | — |
Файлы 1
показать свернуть
Документация на WMS080N10LG2
Shang Hai Wayon Thermo-Electro
Дата модификации: 14.03.2022
Размер: 783.1 Кб
7 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.