BSS123W

Yangjie
RoHS BSS123W COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 200mA ＜5.0ohm ＜5.5ohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● High density cell design for low RDS(ON) ● Fast Switching Speed Applications ● Small servo motor control ● Power MO...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ BSS123 (YJ)
 

BSS123 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS BSS123W COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 200mA ＜5.0ohm ＜5.5ohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● High density cell design for low RDS(ON) ● Fast Switching Speed Applications ● Small servo motor control ● Power MOSFET gate drivers ● Switching application ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 200 ID TA=70℃ @ Steady State Unit mA 160 Pulsed Drain Current A IDM 800 mA Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 150 mW RθJA 833 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS123W F2 B123. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-E075 Rev. 3.1,05-Dec -20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS123W 

Microsoft Word - BSS123W Rev3.1

Дата модификации: 05.12.2020

Размер: 907.9 Кб

6 стр.

RoHS COMPLIANT BSS123W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 200mA ＜5.0ohm ＜5.5ohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● High density cell design for low RDS(ON) ● Fast Switching Speed Applications ● Small servo motor control ● Power MOSFET gate drivers ● Switching application ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 200 ID TA=70℃ @ Steady State Unit mA 160 Pulsed Drain Current A IDM 800 mA Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 350 mW RθJA 357 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS123 F2 B123. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-S1965 Rev.2.0,25-Dec-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS123W 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 12.03.2019

Размер: 599.7 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)