BSS123W

SUNCO
RoHS BSS123W COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 200mA ＜5.0ohm ＜5.5ohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● High density cell design for low RDS(ON) ● Fast Switching Speed Applications ● Small servo motor control ● Power MO...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ BSS123 (YJ)
 

BSS123 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —

Файлы 2

показать свернуть
RoHS BSS123W COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 200mA ＜5.0ohm ＜5.5ohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● High density cell design for low RDS(ON) ● Fast Switching Speed Applications ● Small servo motor control ● Power MOSFET gate drivers ● Switching application ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 200 ID TA=70℃ @ Steady State Unit mA 160 Pulsed Drain Current A IDM 800 mA Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 150 mW RθJA 833 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS123W F2 B123. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-E075 Rev. 3.1,05-Dec -20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS123W 

Microsoft Word - BSS123W Rev3.1

Дата модификации: 05.12.2020

Размер: 907.9 Кб

6 стр.

RoHS COMPLIANT BSS123W N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 200mA ＜5.0ohm ＜5.5ohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● High density cell design for low RDS(ON) ● Fast Switching Speed Applications ● Small servo motor control ● Power MOSFET gate drivers ● Switching application ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 200 ID TA=70℃ @ Steady State Unit mA 160 Pulsed Drain Current A IDM 800 mA Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 350 mW RθJA 357 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS123 F2 B123. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-S1965 Rev.2.0,25-Dec-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS123W 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 12.03.2019

Размер: 599.7 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N7002 (YJ)