BSS123

Yangjie
Полевой транзистор. N-канальный; напряжение сток-исток макс. 100 В; ток стока 200 мА; RDS(ON) 5.5 Ом; мощность рассеивания 350 мВт; заряд затвора 1.8 нКл; корпус SOT-23
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P= BSS123 (HOTTECH)
 

BSS123 (ONS-FAIR) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P= BSS123 (JSCJ)
 

BSS123 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — —
P- NCE0102B (NCE)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — — —
P- WM06N03M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- WM10N02M (WAYON)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
P- WM05N02M (WAYON)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — — — —
P- NCE0102 (NCE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P- 2N7002 (JSCJ)
 

2N7002 (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P- BSS138N (JSMICRO)
 
SOT-23-3 431 шт
 
 — — — — — — — — — — — —
P- BSS138 (EVVO)
 

BSS138 (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — —
P- 2N7002K (NCE)
 

2N7002K (ONS-FAIR) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 ± — — — —
P- BSS123NH6327XTSA1-VB (VBSEMI)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
A+ BSS123W (YJ)
 

BSS123W (ONS-FAIR) 		SOT-323-3 в ленте 3000 шт — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS BSS123 COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 100V 200mA ＜5.0ohm ＜5.5ohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● High density cell design for low RDS(ON) ● Fast Switching Speed Applications ● Small servo motor control ● Power MOSFET gate drivers ● Switching application ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 200 ID TA=70℃ @ Steady State Unit mA 160 Pulsed Drain Current A IDM 800 mA Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 350 mW RθJA 357 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS123 F2 B123. 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-S1966 Rev.2.0,25-Dec-18 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS123 

T10XB型（SIP）硅橋式整流器

Дата модификации: 11.07.2019

Размер: 589.1 Кб

6 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    26 июня 2024
    новость

    Полупроводниковые компоненты JSCJ для солнечной энергетики

    Электроэнергия, вырабатываемая солнечной батареей, может быть преобразована в удобную для потребителя форму разными способами, имеющими свои особенности. Одним из них является применение микроинверторов – преобразователей постоянного тока в... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WMK05N80M3 (WAYON)