BSS138DW

Yangjie
RoHS BSS138DW COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 50V 340mA ＜2.5ohm ＜3.0ohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage Applications ● Battery operated systems ●...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-323-6 SOT363
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ 2N7002DW (YJ)
 

2N7002DW (ONS-FAIR) 		SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS BSS138DW COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) 50V 340mA ＜2.5ohm ＜3.0ohm General Description ● Trench Power MV MOSFET technology ● Voltage controlled small signal switch ● Low input Capacitance ● Fast Switching Speed ● Low Input / Output Leakage Applications ● Battery operated systems ● Solid-state relays ● Direct logic-level interface：TTL/CMOS ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 50 V Gate-source Voltage VGS ±20 V TA=25℃ @ Steady State Drain Current 340 ID TA=70℃ @ Steady State Unit mA 272 Pulsed Drain Current A IDM 1.5 A Total Power Dissipation @ TA=25℃ PD 350 mW RθJA 357 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State B Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE BSS138DW F2 SS 3000 30000 120000 7“ reel 1/6 S-E082 Rev.3.0,08-Mar-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на BSS138DW 

Microsoft Word - BSS138DW

Дата модификации: 19.10.2023

Размер: 809.4 Кб

6 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    16 июля 2024
    статья

    Yangjie – один из крупнейших в мире производителей дискретных полупроводниковых компонентов

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Китайская компания Yangjie осуществляет полный цикл производства и продаж. Ее продукция нашла широкое применение в промышленной, автомобильной и бытовой электронике, экологически чистой энергетике,... ...читать

    28 марта 2024
    новость

    Склад КОМПЭЛ расширил ассортимент MOSFET производства SUNCO

    Новые серии MOSFET производства SUNCO – одного из мировых лидеров среди производителей дискретных силовых полупроводников – стали доступны для заказа со склада КОМПЭЛ. Каждый пятый мостовой выпрямитель в мире выходит с конвейеров этой китайской... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)