ES1DS

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 200 В, ток до 1 А, с падением напряжения 950 мВ, ёмкостью перехода 15 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 21

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
A- UG2DA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- ES2D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- ES1D (YJ)
 

ES1D (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES2DA (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon
A- HS1D (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- MURS120 (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- MURS220A (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- MURS120 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- US1D (DC)
 

US1D (DIODES)
DO214AC в ленте 1800 шт
A- ES1D (DC)
 

ES1D (DIODES)
DO214AC в ленте 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- ES1D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
A- US1D (YJ)
 

US1D (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM)
A- ES1DW (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon
A- ES2DAQ (YJ)
 
DO214AC Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier
A- HS2DA (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM)
A- UG1D (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
A- SS120A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 1A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- SS120AQ (YJ)
 
60 шт
 
Surface Mount Schottky Rectifier
A- SS220A (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 2A, 200V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- US1D (JSCJ)
 

US1D (DIODES)
DO214AC
 
A- US2D SMAG (JSCJ)
 
DO214AC
 

Файлы 1

показать свернуть
RoHS ES1AS THRU ES1JS COMPLIANT Surface Mount Super Fast Recovery Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super Fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code ES1AS ES1BS ES1CS ES1DS ES1FS ES1GS ES1HS ES1JS ES1AS ES1BS ES1CS ES1DS ES1FS ES1GS ES1HS ES1JS Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 50 100 150 200 300 400 500 600 Maximum RMS Voltage VRMS V 35 70 105 140 210 280 350 420 VDC V 50 100 150 200 300 400 500 600 IO A IFSM A Maximum DC blocking Voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, resistance load, TL (Fig.1) Forward Surge Current (Non-repetitive) @60Hz Half-sine wave,1 cycle, Tj=25℃ Forward Surge Current (Non-repetitive) @1ms, square wave, 1 cycle, Tj=25℃ Current squared time @1ms≤t8.3≤ms Tj=25℃,Rating of per diode Typical junction capacitance @Measured at 1MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0 V.D.C 1.0 30 60 I2t A2s Cj pF Storage temperature Tstg ℃ -55 ~ +150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~ +150 ■Electrical 3.735 15 10 7 Characteristics (Ta=25℃ Unless otherwise specified) PARAMETER Maximum instantaneous forward voltage drop per diode SYMBOL UNIT VF TEST ES1AS ES1BS ES1CS ES1DS ES1FS CONDITIONS V IFM=1.0A IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A 35 Tj =25℃ 5 Tj =125℃ 100 Maximum reverse recovery time trr ns Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode IR μA 0.95 ES1GS ES1HS ES1JS 1.3 1.7 1/5 S-S2732 Rev.1.1,07-Jan-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на ES1ASF1 

Microsoft Word - ES1AS THRU ES1JS

Дата модификации: 12.01.2021

Размер: 216.6 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.