HS1M

SUNCOYJ
Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 7 пФ, производства SUNCOYJ (YJ)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Примечание Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 23

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= US1M SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — — — —
P= US1M-A (ANBON)
 
DO214AC
 
 — — — — — — — — — — —
P= HS1MQ (YJ)
 
DO214AC 100 шт Surface Mount High Efficient Rectifier
P= US1M (DC)
 

US1M (DIODES) 		DO214AC в ленте 7500 шт —
P= US1M (YOUTAI)
 

US1M (DIODES) 		DO-214AC SMA в ленте 2000 шт —
P= HFM108 (LRC)
 
DO-214AC SMA — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= US1MG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
 — — — — — —
P- US1M (YJ)
 

US1M (DIODES) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
A- M7 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — —
A- GS1M (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- S1M (YJ)
 

S1M (DIODES) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — — 1.0AMP.SURFACE MOUNT RECTIFIERS
A- RS1M (YJ)
 

RS1M (DIODES) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
A- HS1Q (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт — —
A- RS1M (DC)
 

RS1M (DIODES) 		DO214AC в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- GR1M (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- US2M SMAG (JSCJ)
 
DO214AC
 
 — — — — —
A- GR2MA (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.5A, 1000V V(RRM)
A- GS2MA (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — —
A- M7 (DC)
 

M7-DIO (DIOTEC) 		DO214AC 7500 шт — — — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
A- GS1Q (YJ)
 
DO214AC 5000 шт — — —
A- GS1MQ (YJ)
 
DO214AC — Surface Mount General Purpose Rectifier
A- HS2MA (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
 — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM)
A- M7 (YJ)
 

M7-DIO (DIOTEC) 		DO214AC в ленте 5000 шт
 
 — — Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon

Файлы 1

показать свернуть
RoHS HS1A THRU HS1M COMPLIANT Surface Mount High Efficient Rectifier Features ● Low profile package ● Ideal for automated placement ● Glass passivated chip junction ● High forward surge capability ● Super fast reverse recovery time ● Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C Typical Applications For use in high frequency rectification of power supplies, inverters, converters, and freewheeling diodes for consumer, and telecommunication. Mechanical Data ● Package: DO-214AC (SMA) Molding compound meets UL 94 V-0 flammability rating, RoHS-compliant, halogen-free ● Terminals: Tin plated leads, solderable per J-STD-002 and JESD22-B102 ● Polarity: Cathode line denotes the cathode end ■Maximum Ratings (Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT Device marking code HS1A HS1B HS1D HS1F HS1G HS1J HS1K HS1M HS1A HS1B HS1D HS1F HS1G HS1J HS1K HS1M 50 100 200 300 400 600 800 1000 HS1J HS1K HS1M VRRM V IO A 1.0 Surge(non-repetitive)forward current @ 60Hz Half-sine wave,1 cycle, Ta=25℃ IFSM A 30 Storage temperature Tstg ℃ -55~+150 Junction temperature Tj ℃ -55 ~ +150 Repetitive peak reverse voltage Average rectified output current @60Hz sine wave, Resistance load, TL (FIG.1) ■Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） PARAMETER SYMBOL UNIT TEST CONDITIONS Maximum instantaneous forward voltage drop per diode VF V IFM=1.0A Maximum reverse recovery time TRR ns IF=0.5A,IR=1.0A, Irr=0.25A IRRM μA Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage per diode @ VRM=VRRM HS1A HS1B HS1D HS1F 1.0 HS1G 1.3 50 1.7 75 Ta=25℃ 5 Ta=125℃ 100 1/5 S-S062 Rev. 2.4, 20-Dec-19 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на HS1M 

Microsoft Word - HS1A THRU HS1M

Дата модификации: 23.12.2019

Размер: 216.7 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1A7 (YJ)