US1MG

Диод выпрямительный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.65 В, производства Shikues (SHIKUES)
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO214AC
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 40

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= HS1M (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= US1M (DC)
 

US1M (DIODES)
DO214AC в ленте 7500 шт
P= US1M SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= HFM108 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= US1M-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= 1N4007G (SHIKUES)
 
DO214AC 4000 шт
 
P= M7 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= FM407 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= S1M-A (ANBON)
 
DO214AC
P= S1ML (JSCJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
P= SS36AQ (YJ)
 
DO-214AC SMA
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= GS1MQ (YJ)
 
DO214AC Surface Mount General Purpose Rectifier
P= 1N4004G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= GS1M (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= S1MG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= FM404 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= FM401 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= FM403 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= US1M (YJ)
 

US1M (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= S1M (DC)
 

S1M (DIODES)
DO214AA в ленте 3000 шт
P= RS1M (DC)
 

RS1M (DIODES)
DO214AC в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= S3M (DC)
 

S3M (DIODES)
DO214AB в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [DO-214AB]
P= RS1M (YJ)
 

RS1M (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= GS1J (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= S1AG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= S1DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= S1G (DC)
 

S1G (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 3000 шт
P= GS1M (DC)
 
DO214AC в ленте 7500 шт Необходимо фото этикеток на заводской таре Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= M7 (DC)
 

M7-DIO (DIOTEC)
DO214AC 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= HS1MB (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= S2MB (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= SOD4007-SH (LRC)
 
SOD123FL
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= DSR1M (ANBON)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
P= US1MW (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
P= HFMAF109 (LRC)
 
SMAFL
 
P= US1M (YOUTAI)
 

US1M (DIODES)
DO-214AC SMA в ленте 2000 шт
P= US1K (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= HFM107 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= HS1Q (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
P= HS1MQ (YJ)
 
DO214AC 100 шт Surface Mount High Efficient Rectifier

Файлы 1

показать свернуть
US1AG THRU US1MG SURFACE MOUNT ULTRAFAST RECOVERY RECTIFIER Reverse Voltage - 50 to 1000 V PINNING Forward Current - 1 A PIN FEATURES • For surface mounted applications • Low profile package • Glass Passivated Chip Junction • Easy to pick and place • High efficiency • Lead free in comply with EU RoHS 2011/65/EU directives DESCRIPTION 1 Cathode 2 Anode 1 2 Top View Marking Code: US1AG ~US1MG Simplified outline SMA and symbol MECHANICAL DATA • Case: SMA • Terminals: Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 • A pprox. Weight: 0.055g / 0.002oz Maximum Ratings and Electrical characteristics Ratings at 25 °C ambient temperature unless otherwise specified. Single phase half-wave 60 Hz, resistive or inductive load, for capacitive load current derate by 20 %. Symbols Parameter US1AG US1BG US1DG US1GG US1JG US1KG US1MG Units Maximum Repetitive Peak Reverse Voltage V RRM 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum RMS voltage V RMS 35 70 140 280 420 560 700 V Maximum DC Blocking Voltage V DC 50 100 200 400 600 800 1000 V Maximum Average Forward Rectified Current at T c = 125 °C I F(AV) 1 A Peak Forward Surge Current 8.3 ms Single Half Sine Wave Superimposed on Rated Load I FSM 30 A Maximum Instantaneous Forward Voltage at 1 A VF Maximum DC Reverse Current T a = 25 °C at Rated DC Blocking Voltage T a =125 °C Maximum Reverse Recovery Time (1) Typical Thermal Resistance (2) Typical Junction Capacitance (3) Operating and Storage Temperature Range 1.0 1.65 5 100 IR t rr V μA 75 50 ns RθJA 75 °C/W Cj 15 pF T j , T stg -55 ~ +150 °C (1)Measured with I F = 0.5 A, I R = 1 A, I rr = 0.25 A . (2)P.C.B. mounted with 2.0" X 2.0" (5 X 5 cm) copper pad areas. (3)Measured at 1 MHz and applied reverse voltage of 4 V D.C REV.08 1.3 1 of 3 PDF
Документация на US1AG 

SMA-U-US1A~US1M-1A1KV-46mil.cdr

Дата модификации: 01.01.1970

Размер: 214.5 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.