US1M

Диод выпрямительный одиночный на напряжение до 1000 В, ток до 1 А, с падением напряжения 1.7 В, ёмкостью перехода 10 пФ, производства UMW (YOUTAI)
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AC SMA
Схема включения диодов
Максимальное обратное напряжение диода
Прямой ток диода (средний)
Прямое падение напряжения
Особенности
Обратный ток диода
Время обратного восстановления диодов
Емкость перехода
Рабочая температура
Монтаж
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 42

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Сборка Uобр Iпрям Uпрям Особенности Iобр t ов Сперех T раб Монтаж Примечание Карточка
товара
P= US1M-A (ANBON)
 
DO214AC
 
P= 1N4007G (SHIKUES)
 
DO214AC 4000 шт
 
P= US1M (DC)
 

US1M (DIODES)
DO214AC в ленте 7500 шт
P= M7 SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= FM407 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= S1ML (JSCJ)
 
SOD123FL в ленте 3000 шт
 
P= SS36AQ (YJ)
 
DO-214AC SMA
 
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 3A, 60V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= GS1MQ (YJ)
 
DO214AC Surface Mount General Purpose Rectifier
P= S1MG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= S1M-A (ANBON)
 
DO214AC
P= GS1M (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= 1N4004G (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= FM404 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= FM401 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= FM403 (LRC)
 
DO-214AC SMA
 
P= S1AG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= S1G (DC)
 

S1G (ONS-FAIR)
DO214AC в ленте 3000 шт
P= RS1M (DC)
 

RS1M (DIODES)
DO214AC в ленте 7500 шт Выпрямительный диод - Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= S3M (DC)
 

S3M (DIODES)
DO214AB в ленте 3000 шт Выпрямительный диод - [DO-214AB]
P= S1M (DC)
 

S1M (DIODES)
DO214AA в ленте 3000 шт
P= RS1M (YJ)
 

RS1M (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= S1DG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= GS1J (YJ)
 
DO214AC 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 600V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= GS1M (DC)
 
DO214AC в ленте 7500 шт Необходимо фото этикеток на заводской таре Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= HS1M (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= US1M (YJ)
 

US1M (DIODES)
DO214AC в ленте 5000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM)
P= M7 (DC)
 

M7-DIO (DIOTEC)
DO214AC 7500 шт Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= SOD4007-SH (LRC)
 
SOD123FL
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon
P= HS1MB (YJ)
 
DO214AA в ленте 3000 шт
 
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AA
P= HFM108 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= DSR1M (ANBON)
 
SOD123 в ленте 3000 шт
 
P= US1MW (SHIKUES)
 
SOD123FL
 
P= S2MB (LRC)
 
DO-214AA SMB
 
P= US1MG (SHIKUES)
 
DO214AC
 
P= HFMAF109 (LRC)
 
SMAFL
 
P= US1M SMAG (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= US1K (JSCJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
 
P= HFM107 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1A, 800V V(RRM), Silicon, DO-214AC
P= HS1Q (YJ)
 
DO214AC в ленте 5000 шт
P= HS1MQ (YJ)
 
DO214AC 100 шт Surface Mount High Efficient Rectifier
A- FFMA207 (LRC)
 
DO-214AC SMA Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 2A, 1000V V(RRM), Silicon, DO-214AC
A- RS1M (YOUTAI)
 

RS1M (DIODES)
DO-214AC SMA в ленте 2000 шт

Файлы 1

показать свернуть
UMW R UMW US1A THRU US1M 50V-100V 1.0A FEATURES ¨ Plastic package has Underwriters Laboratories Flammability Classification 94V-0 ¨ Ideally suited for use in very high frequency switching power supplies, inverters and as a free wheeling diode ¨ Ultrafast recovery time for high efficiency ¨ Soft recovery characteristics ¨ Excellent high temperature switching ¨ Glass passivated junction ¨ High temperature soldering guaranteed: 250°C/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension Mechanical Data Case: JEDEC DO-214AC, molded plastic body over passivated chip Terminals: Axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting Position: Any Weight: 0.012 ounce, 0.34 gram MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS Single phase, half wave, 60Hz, resistive or inductive load. For capacitive load, derate current by 20%. Characteristic Symbol US1A Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage RMS Reverse Voltage US1B US1D US1G US1J US1K US1M Unit VRRM VRWM VR 50 100 200 400 600 800 1000 V VR(RMS) 35 70 140 280 420 560 700 V IO 1.0 A Non-Repetitive Peak Forward Surge Current 8.3ms Single half sine-wave Superimposed on Rated Load (JEDEC Method) IFSM 30 A @ IF = 1.0A VFM @ TA = 25C @ TA = 100C IRM Average Rectified Output Current Forward Voltage Drop Peak Reverse Current at Rated DC Blocking Voltage @ TT = 75C 1.0 1.3 1.7 5.0 100 V A Reverse Recovery Time (Note 2) trr 50 75 ns Typical Junction Capacitance (Note 1) Cj 20 10 pF Typical Thermal Resistance, Junction to Terminal Operating and Storage Temperature Range Notes: RJT 30 C/W Tj, TSTG -65 to +150 C 1. Measured at 1.0MHz and applied reverse voltage of 4.0V DC. 2. Measured with IF = 0.5A, IR = 1.0A, Irr = 0.25A. www.umw-ic.com 1 友台半导体有限公司 PDF
Документация на US1M 

UMW US1A THRU US1M

Дата модификации: 14.04.2022

Размер: 564.7 Кб

3 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.