YJA3134KA

Yangjie
RoHS YJA3134KA COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 20 V ● ID 0.7 A ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜300 mohm ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ＜350 mohm ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ＜700 mohm ● ESD Protected Up to 2.0KV (HBM) General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability Applications ● PWM application ● Load s...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WM02DN08DR (WAYON)
 
SOT-323-6 SOT363 в ленте 3000 шт — — — — — —
A+ IRLML2402TR (YOUTAI)
 

IRLML2402TR (INFIN) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ CJ3134K (JSCJ)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 —
A+ CJ3134K SOT-23 (JSCJ)
 
SOT-23-3
 
 — —
A+ IRLML2402 (YOUTAI)
 

IRLML2402 (INFIN) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — —
A+ CJ3134K KF (JSCJ)
 
— — —
A+ CJE3134K (JSCJ)
 
SOT-523 60 шт
 
 — —
A+ CJBA3134K (JSCJ)
 
DFN10063 в ленте 1000 шт
 
 — —
A+ WM02N08F (WAYON)
 
DFN10063 в ленте 200 шт
 
 — — — — — —
A+ WM02DN08T (WAYON)
 
SOT-563 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ IRLML2803 (HOTTECH)
 

IRLML2803TRPBF (HOTTECH) 		— в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ JMTL3134K (JIEJIE)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJA3134KA COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS 20 V ● ID 0.7 A ● RDS(ON)( at VGS=4.5V) ＜300 mohm ● RDS(ON)( at VGS=2.5V) ＜350 mohm ● RDS(ON)( at VGS=1.8V) ＜700 mohm ● ESD Protected Up to 2.0KV (HBM) General Description ● Trench Power LV MOSFET technology ● High Power and current handing capability Applications ● PWM application ● Load switch ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Drain-source Voltage VDS 20 V Gate-source Voltage VGS ±12 V TA=25℃ @ Steady State Unit 0.7 Drain Current ID A TA=70℃ @ Steady State 0.56 Pulsed Drain Current A IDM 2.8 A Total Power Dissipation @ T A=25℃ PD 0.9 W RθJA 138 ℃/ W TJ ,TSTG -55～+150 ℃ Thermal Resistance Junction-to-Ambient @ Steady State Junction and Storage Temperature Range ■ Ordering Information PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJA3134KA F1 34 10000 100000 400000 7“ reel 1/6 S-E130 Rev.1.1,25-Jun-21 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJA3134KA 

Дата модификации: 25.06.2021

Размер: 577.4 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    C3M0120090D (CREE PWR)