YJB180G10B

Yangjie
RoHS YJB180G10B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 180A ＜3.3 mohm General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery Applications ● Power switching application ● Hard switched ...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид YJB150G06AK
Внешний вид YJB150G06AK
 
 
  • Группа: FET транзисторы  
  • Корпус: TO263
  • Норма упаковки: 800  шт. (в ленте)
  • снято с производства

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 12

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CJB3R0SN10B (JSCJ)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — — — —
A+ WMM028N10HGD (WAYON)
 
TO263 в ленте 800 шт
 
 — — —
A+ WMM020N10HGS (WAYON)
 
TO263 в ленте 100 шт
 
 — — — — —
A+ WMLL025N10HGS (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMK036N12HGS (WAYON)
 
—
 
 — — — — —
A+ WMK028N10HGS (WAYON)
 
TO-220-3
 
 — — — — —
A+ WMJ020N10HGS (WAYON)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — — — — —
A+ WMB049N12HG2 (WAYON)
 
PDFN8L5X6
 
 — — — — — —
A+ IRFP4468 (EVVO)
 

IRFP4468 (INFIN) 		TO-247-3 в линейках 450 шт
 
 — — — — — — —
A+ IRFP4110 (EVVO)
 
TO-247-3 в линейках 1000 шт
 
 — — — — —
A+ NCEP023N10T (NCE)
 
TO-247-3 1 шт ± — — —
A+ JMSH1003NC-U (JIEJIE)
 
TO2203L в линейках 50 шт
 
 — — — —

Файлы 1

показать свернуть
RoHS YJB180G10B COMPLIANT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor Product Summary ● VDS ● ID ● RDS(ON)( at VGS=10V) ● 100% UIS Tested ● 100% ▽VDS Tested 100V 180A ＜3.3 mohm General Description ● Low RDS(on) & FOM ● Extremely low switching loss ● Excellent stability and uniformity ● Fast switching and soft recovery Applications ● Power switching application ● Hard switched and high frequency circuits ● Uninterruptible power supply ■ Absolute Maximum Ratings (TA=25℃unless otherwise noted) Parameter Symbol Limit Unit Drain-source Voltage VDS 100 V Gate-source Voltage VGS ±20 V 180 TC=25℃ Drain Current ID A TC=100℃ 115 Pulsed Drain Current A IDM 540 A Avalanche energy B EAS 1568 mJ TC =25℃ 357 Total Power Dissipation C PD W TC =100℃ 142.8 Junction and Storage Temperature Range TJ ,TSTG -55～+150 ℃ ■Thermal resistance Parameter Symbol Thermal Resistance Junction-to-Ambient D t≤10S Typ Max 12 15 50 60 0.28 0.35 Units RθJA Thermal Resistance Junction-to-Ambient D Steady-State Thermal Resistance Junction-to-Case Steady-State RθJC ℃/W ■ Ordering Information (Example) PREFERED P/N PACKING CODE Marking MINIMUM PACKAGE(pcs) INNER BOX QUANTITY(pcs) OUTER CARTON QUANTITY(pcs) DELIVERY MODE YJB180G10B F2 YJB180G10B 800 / 8000 13“ reel 1/6 S-E104 Rev.1.0,26-Qct-20 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com PDF
Документация на YJB180G10BF2 

Microsoft Word - YJB180G10B

Дата модификации: 12.11.2020

Размер: 1.23 Мб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    WM02P40M (WAYON)